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NXV65HR82DZ1 16-SSIP Brücke des Energie-Fahrer-IGBT des Modul-650V H

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

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Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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NXV65HR82DZ1 16-SSIP Brücke des Energie-Fahrer-IGBT des Modul-650V H

NXV65HR82DZ1 16-SSIP Brücke des Energie-Fahrer-IGBT des Modul-650V H
NXV65HR82DZ1 16-SSIP Brücke des Energie-Fahrer-IGBT des Modul-650V H

Großes Bild :  NXV65HR82DZ1 16-SSIP Brücke des Energie-Fahrer-IGBT des Modul-650V H

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: NXV65HR82DZ1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: 16-SSIP
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

NXV65HR82DZ1 16-SSIP Brücke des Energie-Fahrer-IGBT des Modul-650V H

Beschreibung
Teilnummer: NXV65HR82DZ1 Art: MOSFET
Konfiguration: H-Brücke Vgs - Tor-Quellspannung: - 20 V, + 20 V
Qg - Tor-Gebühr: 79,7 nC Spannung - Isolierung: 5000Vrms
Hervorheben:

Modul des Energie-Fahrer-IGBT

,

16-SSIP Modul des Fahrer-IGBT

,

NXV65HR82DZ1

NXV65HR82DZ1 16-SSIP-Leistungstreiber-IGBT-Modul 650 V H-Brücke

 

Automotive-IGBT-Module NXV65HR82DZ1 16-SSIP-Leistungstreibermodul 650 V H-Brücke

 

Produktbeschreibung von NXV65HR82DZ1

NXV65HR82DZ1 ist ein H-Brücken-MOSFET-Automotive-Leistungsmodul der APM16-Serie für LLC und phasenverschobene DC/DC-Wandler.

 

Spezifikation vonNXV65HR82DZ1

Artikelnummer: NXV65HR82DZ1
Si
Durchgangsloch
APMCA-16
N-Kanal
4 Kanäle
650 V
26 A
82 mOhm


MerkmaleNXV65HR82DZ1

  • SIP- oder DIP-H-Bridge-Leistungsmodul für On-Board-Ladegerät (OBC) in EV oder PHEV
  • 5 kV/1 s elektrisch isoliertes Substrat für einfache Montage
  • Kriech- und Luftstrecke gemäß IEC60664-1, IEC 60950-1
  • Kompaktes Design für geringen Gesamtmodulwiderstand

 

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Artikelnummer Paket
DS26528G BGA
SFH4250 SMD1210
MC908GP32CFBE LQFP44
LM4510SD WSON10
W83310G SOP-8
TK83361MTL SOP16

 

FAQ

F: Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind Originale, der Import neuer Originale ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
F: Können Sie Bestellungen oder Muster in kleinen Mengen unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Bestellung oder Projekt.
F: Wie versende ich meine Bestellung?Ist es sicher?
A: Für den Versand verwenden wir Expressdienste wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.
F: Wie sieht es mit der Vorlaufzeit aus?
A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Arbeitstagen versenden. Wenn kein Lagerbestand vorhanden ist, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.
 

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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