Startseite Produkte Automobil-IGBT-Module

Automobil-IGBT Module 1200V NXH80T120L3Q0S3G des Graben-Feld-End

Name: Automobil-IGBT Module 1200V NXH80T120L3Q0S3G des Graben-Feld-End
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXH80T120L3Q0S3G
Availability: InStock

Alle Produkte

Chip der integrierten Schaltung
(18861)

BT IC
(540)

Automobil-IGBT-Module
(1941)

Mikroregler MCU
(12765)

GaN IC
(51)

KI-Prozessor-Chip
(1179)

Feldprogrammierbare Gatteranordnung
(6647)

Ethernet-IC
(943)

Anschlüsse
(2853)

Speicher-IC-Chip
(2435)

Sensor IC
(2188)

IoT-Chip
(235)

5G-Modul
(132)

Chip WiFis 6
(142)

Chip Iphone IC
(55)

Drahtloses Kommunikations-Modul
(3322)

Temperaturbegrenzer Thermostat
(8)

Beste Produkte

Mittlere Doppeldreiphasen-PIM IGBT Module Energie Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 photo-voltaische Energie der Phasen-IGBT des Modul-950V 70A

Automobil-Doppel-IGBT Modul IGBT-Modul-FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

Bescheinigung

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen

Kunden-Berichte

Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

Ich bin online Chat Jetzt

Automobil-IGBT Module 1200V NXH80T120L3Q0S3G des Graben-Feld-End

Großes Bild : Automobil-IGBT Module 1200V NXH80T120L3Q0S3G des Graben-Feld-End

Produktdetails:

Herkunftsort:	KN
Markenname:	Original Factory
Zertifizierung:	Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer:	NXH80T120L3Q0S3G
Dokument:	NXH80T120L3Q0S3G.PDF

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	10
Preis:	Contact for Sample
Verpackung Informationen:	Modul
Lieferzeit:	5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	T/T, L/C, Western Union

Kontakt

Automobil-IGBT Module 1200V NXH80T120L3Q0S3G des Graben-Feld-End

Beschreibung

Teilnummer:	NXH80T120L3Q0S3G	Strom - Sammlergrenze (maximal):	300 µA
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	2.4V @ 15V, 80A	Leistung - Max.:	188 W
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	75 A	Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	1200 V
Hervorheben:	Automobil-IGBT Module des Graben-Feld-End , Automobil-IGBT Module NXH80T120L3Q0S3G , NXH80T120L3Q0S3G-Graben-Feld-Halt IGBT

Schlagfeldstoppe für IGBT-Module für Fahrzeuge 1200V NXH80T120L3Q0S3G

IGBT-Module Schachtfeldstoppe NXH80T120L3Q0S3G Fahrzeug-IGBT-Module 1200V

Produktbeschreibung von NXH80T120L3Q0S3G

NXH80T120L3Q0S3G ist eine 1200V 75A 188W IGBT-Modul-Grench-Feld-Stop-Halbbrücke.

Spezifikation vonNXH80T120L3Q0S3G

Teilnummer	NXH80T120L3Q0S3G
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce	18.15 nF @ 20 V
Eingabe	Standards
NTC-Thermistor	- Ja, das ist es.
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Typ der Montage	Aufbau des Fahrgestells
Packung / Gehäuse	Modul
Lieferanten-Gerätepaket	Einheit für die Bereitstellung von Daten über die Datenbank

Pin-Zuteilungen vonNXH80T120L3Q0S3G

Automobil-IGBT Module 1200V NXH80T120L3Q0S3G des Graben-Feld-End 0

Andere elektronische Komponenten auf Lager

Teilnummer	Paket
XC7K325T-2FBG676I	BGA676
Die Ausrüstung ist mit einer Maschine ausgestattet.	BGA900
Die Ausrüstung ist mit einer Breite von mehr als 20 mm verpackt.	BGA900
XC7K410T-3FFG900E	BGA
XC7K410T-1FFG676I	BGA
Die Ausrüstung ist mit einer Maschine ausgestattet, die mit einer Maschine ausgestattet ist.	BGA676

Häufig gestellte Fragen

F: Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Bestellmengen oder Proben unterstützen?Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
F: Wie kann ich meine Bestellung versenden?
A: Wir verwenden Express, um zu versenden, wie DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Andere Produkte

Module 1200V 400A Automobil-IGBT sic Mosfet-Modul FS03MR12A6MA1LBBPSA1

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 1200V (1.2kV)

Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 400A

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 5.55V @ 240mA

waagerecht ausgerichtetes IGBT Modul F3L400R10W3S7B11BPSA1 950V 400A Automobil-IGBT Modul-3

Teilnummer: F3L400R10W3S7B11BPSA1

IGBT-Typ: Graben

Produktstatus: Aktiv

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 950 V

Graben-Feld-Halt F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT Modul-950V 310A

Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 950 V

Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 310 A

Macht- maximales: 20 mW

Vce (an) (maximal) @ Vge, IC: 2.25V @ 15V, 400A

Automobilmodule FS05MR12A6MA1BBPSA1 der HEV-Silikon-Karbid-Energie-Modul-1200V 200A

Fet-Eigenschaft: Siliziumkarbid (SiC)

Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 200A

Typ der Montage: Aufbau des Fahrgestells

IGBT-Module für die Automobilindustrie FF300R08W2P2B11ABOMA1 750 V 300 A Halbbrücken-IGBT-Modul

Teilnummer: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 750 V

Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 200 A

Leistung - Max.: 20 mW

Automobil-IGBT Module 1200V NXH80T120L3Q0S3G des Graben-Feld-End

Automobil-IGBT Module 1200V NXH80T120L3Q0S3G des Graben-Feld-End

Automobil-IGBT Module 1200V NXH80T120L3Q0S3G des Graben-Feld-End

Automobil-IGBT Module des Graben-Feld-End

Automobil-IGBT Module NXH80T120L3Q0S3G

NXH80T120L3Q0S3G-Graben-Feld-Halt IGBT

Automobil-IGBT-Module 400A,

Energie-Modul FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,