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Energie MOSFET-Transistor 8-PowerSFN der integrierten Schaltung des Chip-IPT020N10N5ATMA1 100V

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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Energie MOSFET-Transistor 8-PowerSFN der integrierten Schaltung des Chip-IPT020N10N5ATMA1 100V

Energie MOSFET-Transistor 8-PowerSFN der integrierten Schaltung des Chip-IPT020N10N5ATMA1 100V
Integrated Circuit Chip IPT020N10N5ATMA1 100V Power MOSFET Transistor 8-PowerSFN
Energie MOSFET-Transistor 8-PowerSFN der integrierten Schaltung des Chip-IPT020N10N5ATMA1 100V Energie MOSFET-Transistor 8-PowerSFN der integrierten Schaltung des Chip-IPT020N10N5ATMA1 100V

Großes Bild :  Energie MOSFET-Transistor 8-PowerSFN der integrierten Schaltung des Chip-IPT020N10N5ATMA1 100V

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IPT020N10N5ATMA1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: 8-PowerSFN
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Energie MOSFET-Transistor 8-PowerSFN der integrierten Schaltung des Chip-IPT020N10N5ATMA1 100V

Beschreibung
Teilnummer: IPT020N10N5ATMA1 Verlustleistung (maximal): 273W (Tc)
Fet-Art: N-Kanal Reihe: OptiMOS™5
Betriebstemperatur: -55°C | 175°C (TJ) Technologie: MOSFET (Metalloxid)

Energie MOSFET-Transistor 8-PowerSFN der integrierten Schaltung des Chip-IPT020N10N5ATMA1 100V

 

Produkt-Beschreibung von IPT020N10N5ATMA1

IPT020N10N5ATMA1 ist OptiMOS™, das 5 Wirtschaftsmacht 100V MOSFET-Transistoren in Zu-nicht bleihaltigem die ideale Wahl für hohe Schaltfrequenzen ist.

 

Spezifikation von IPT020N10N5ATMA1

Teilnummer IPT020N10N5ATMA1
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
100 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
31A (Ta), 260A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
2mOhm @ 150A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
3.8V @ 202µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (maximal)
±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
11000 PF @ 50 V


Eigenschaften von IPT60R022S7XTMA1

  • Höchste System-Leistungsfähigkeit
  • Niederspannung übertreiben
  • Weniger Vergleich erfordert
  • Erhöhte Energiedichte
  • Verringerte Schalten und Leitungsverluste

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer Paket
MC9S08DZ32ACLF LQFP-48
WM8947ECS BGA
SKY65388-11 QFN
CSD25310Q2 WSON-6
DRV8833RTYR QFN16
MAX14575CETA TDFN-8

 

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

 

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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