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N-Kanal IPT60R022S7XTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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—— Nishikawa aus Japan

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N-Kanal IPT60R022S7XTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

N-Kanal IPT60R022S7XTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN
N-Kanal IPT60R022S7XTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN N-Kanal IPT60R022S7XTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

Großes Bild :  N-Kanal IPT60R022S7XTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IPT60R022S7XTMA1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: 8-PowerSFN
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

N-Kanal IPT60R022S7XTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

Beschreibung
Teilnummer: IPT60R022S7XTMA1 Paket/Fall: HSOF-8
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell: 22 mOhms Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: 5639 PF @ 300 V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 4.5V @ 1.44mA Verlustleistung (maximal): 390W (Tc)

N-Kanal IPT60R022S7XTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

 

Produkt-Beschreibung von IPT60R022S7XTMA1

IPT60R022S7XTMA1 ist MOSFET-Transistoren superjunction 600V CoolMOS™ S7 in a zum nicht bleihaltigen (GEBÜHRN) Paket.

 

Spezifikation von IPT60R022S7XTMA1

Teilnummer IPT60R022S7XTMA1
IchD maximal 23 A
IchDpulsmaximal 375 A
PKnirpsmaximal 390 W
Paket GEBÜHR (HSOF-8)
QG(Art @10V) 150 nC
RDS (an)maximal mΩ 22
RDS (an)(@10V) maximal mΩ 22
VDSmaximal 600 V
VGS (Th)Minute maximal 4 V 3,5 V 4,5 V


Eigenschaften von IPT60R022S7XTMA1

  • Verbesserter thermischer Widerstand
  • Gegenwärtige Kapazität des hohen Impulses
  • Leitfähigkeit optimiert
  • Beste in klasserds (an) in SMD-Paket
  • Kelvin-Quellstifte für verbesserte zugeschaltete Leistung an den hohen Strom
  • GEBÜHRN-Paket ist MSL1, das, Führungen sichtlich zu kontrollieren konform, vollständig bleifrei und einfach ist

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer Paket
MP1477GTF SOT-563
AX500-1CQ208M CQFP208
TM4C123BH6PGEIR LQFP-144
STM32F429IET6 LQFP176
CR95HF-VMD5T QFPN32
LM25575MHX TSSOP16

 

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

 

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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