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N-Kanal IPT026N10N5ATMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

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Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

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—— Nishikawa aus Japan

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N-Kanal IPT026N10N5ATMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

N-Kanal IPT026N10N5ATMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN
N-Channel IPT026N10N5ATMA1 MOSFET Transistors 8-PowerSFN Integrated Circuit Chip
N-Kanal IPT026N10N5ATMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN N-Kanal IPT026N10N5ATMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

Großes Bild :  N-Kanal IPT026N10N5ATMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IPT026N10N5ATMA1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: 8-PowerSFN
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

N-Kanal IPT026N10N5ATMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

Beschreibung
Teilnummer: IPT026N10N5ATMA1 Identifikation (@ TC=25°C) - maximal: 202 A
Identifikation (@25°C) - maximal: 202 A IDpuls (maximal): 808 A
Betriebstemperatur: -55 °C | °C 175 VDS (maximal): 100 V

N-Kanal IPT026N10N5ATMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

 

Produkt-Beschreibung von IPT026N10N5ATMA1

IPT026N10N5ATMA1 ist Energie 100V OptiMOS™ 5 MOSFET im Zu-nicht bleihaltigen (GEBÜHRN) Paket mit 60% Raumreduzierung für Telekommunikation und niedrige Spannungssteuerungsanwendungen.

 

Spezifikation von IPT026N10N5ATMA1

Teilnummer IPT026N10N5ATMA1
PKnirpsmaximal 214 W
Paket GEBÜHR (HSOF-8)
Pin Count 8 Stifte
Polarität N
QG(Art @10V) 96 nC
RDS (an)(@10V) maximal mΩ 2,6


Eigenschaften von IPT026N10N5ATMA1

  • Optimiert für synchrone Korrektur
  • Ideal für hohe Schaltfrequenz
  • Ausgangskapazitätsreduzierung von bis 44%
  • Reduzierung RDS (an) von bis 43% von der vorherigen Generation

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer Paket
ISL32472EIBZ SOP8
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IPB107N20N3G TO-263
LTC3407EDD-2 DFN-10
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FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

 

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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