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Chip TO-247-3 650V integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-des Endikw40n65et7xksa1

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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Chip TO-247-3 650V integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-des Endikw40n65et7xksa1

Chip TO-247-3 650V integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-des Endikw40n65et7xksa1
Chip TO-247-3 650V integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-des Endikw40n65et7xksa1

Großes Bild :  Chip TO-247-3 650V integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-des Endikw40n65et7xksa1

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IKW40N65ET7XKSA1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Chip TO-247-3 650V integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-des Endikw40n65et7xksa1

Beschreibung
Teilnummer: IKW40N65ET7XKSA1 IGBT-Art: Graben-Feld-Halt
Zugeschaltete Energie: 1.05mJ (an), 590µJ (weg) Vce (an) (maximal) @ Vge, IC: 1.65V @ 15V, 40A
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung: 1,65 V Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal: 1,2 KV

Chip TO-247-3 650V integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-des Endikw40n65et7xksa1

 

Produkt-Beschreibung von IKW40N65ET7XKSA1

IKW40N65ET7XKSA1 ist Hart-Schaltung 650 V, 40 ein IGBT mit anti-paralleler Diode im Paket TO-247. Diese optimierte Strecke des Teils Leistung hat erstklassige Steuerbarkeit für die bessere EMS, beim Schalten Verluste niedriger sind, als die ehemaligen Technologien.

 

Spezifikation von IKW40N65ET7XKSA1

Teilnummer IKW40N65ET7XKSA1
VCER (saß) 1,35 V
VCERmaximal 650 V
VF 1,65 V
td (weg) 330 ns
td (an) 19 ns
tf 17 ns
tr 9 ns


Eigenschaften von IKW40N65ET7XKSA1

  • Verringerte EMS
  • niedriges VCEsat
  • Kurzer Endstückstrom
  • Niedrige Drehungs-wegverluste
  • Robuster Entwurf der Feuchtigkeit
  • Maximale Grenzschichttemperatur 175°C
  • Pb-freier Führungsüberzug; RoHS konform
  • Anti-parallele Diode der sehr weichen, schnellen Wiederaufnahme
  • Qualifiziert entsprechend JEDEC für Zielanwendungen

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer Paket
MSC035SMA070S TO-268-2
MSC090SMA070B TO-247-3
MSC090SMA070S TO-268-2
MSC750SMA170B TO-247-3
MSC750SMA170B4 TO-247-4
MSC750SMA170S TO-268-2

 

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

 

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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