Hochgeschwindigkeits-Graben-Feld-Halt 1200V 166A Transistor-IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT

Hochgeschwindigkeits-Graben-Feld-Halt 1200V 166A Transistor-IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT

Produkt-Beschreibung von IKQ100N120CH7XKSA1

Das IKQ100N120CH7XKSA1 hart-schaltete 1200 V, 100 A TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, das getrenntes Gerät in einem TO-247PLUS 3 Stiftpaket entworfen ist, um den Bedarf von kohlenstoffarmen Anwendungen wie Solar-PV zu erfüllen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Batterieaufladung.

Produkteigenschaften von IKQ100N120CH7XKSA1

Eigenschaften von IKQ100N120CH7XKSA1

• VCE = 1200 V
• IC = 100 A
• Maximale Grenzschichttemperatur Tvjmax = 175°C
• Beste in klasse Hochgeschwindigkeits-IGBT mit-bepackt mit vollem Nennstrom, niedrigem Qrr und weich-kommutierender Hochgeschwindigkeitsdiode
• Niedrige Sättigungsspannung VCEsat = 1,7 V an Tvj = an 25°C

Anwendungen von IKQ100N120CH7XKSA1

• Industrielles UPS
• EV-Aufladung

Andere Versorgungs-Produkt-Arten

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.