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Startseite ProdukteSpeicher-IC-Chip

Chip 250MHz integrierten Schaltung QDR II der Speicherchip-CY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGA

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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Chip 250MHz integrierten Schaltung QDR II der Speicherchip-CY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGA

Chip 250MHz integrierten Schaltung QDR II der Speicherchip-CY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGA
Chip 250MHz integrierten Schaltung QDR II der Speicherchip-CY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGA

Großes Bild :  Chip 250MHz integrierten Schaltung QDR II der Speicherchip-CY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGA

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: CY7C1514KV18-250BZXI
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: 165-FBGA
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

Chip 250MHz integrierten Schaltung QDR II der Speicherchip-CY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGA

Beschreibung
Teilnummer: CY7C1514KV18-250BZXI Speichergröße: 72 Mbit
Organisation: 2 M x 36 Zugriffszeit: 450 ps
Maximale Taktfrequenz: 250 MHz Versorgungs-Strom - maximal: 790 MA

Chip 250MHz integrierten Schaltung QDR II der Speicherchip-CY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGA

 

Produkt-Beschreibung von CY7C1514KV18-250BZXI

CY7C1514KV18-250BZXI ist eine synchrone Rohrleitung SRAM mit 1,8 V, die die Architektur QDR II einschließt, die unterschiedliche Dateneingaben und Datenausgaben hat.

 

Spezifikation von CY7C1514KV18-250BZXI

Teilnummer CY7C1514KV18-250BZXI
Gedächtnis-Art
Flüchtig
Gedächtnis-Format
SRAM
Technologie
SRAM - Synchron, QDR II
Speicherkapazität
72Mbit
Speicherorganisation
2M x 36
Gedächtnis-Schnittstelle
Parallel
Taktfrequenz
250 MHZ
Spannung - Versorgung
1.7V | 1.9V

 

Eigenschaften von CY7C1514KV18-250BZXI

  • Getrenntes unabhängiges Lesen und Datenhäfen schreiben
  • Stützt die gleichzeitige Transaktionsverarbeitung (TDP)
  • 350 MHZ-Uhr, hohen Bandbreitenübertragungen ermöglichend
  • Einzelner gemultiplexter Adresseneingabebus fähig zum Verriegeln von Adresseneingaben für, Häfen zu lesen und zu schreiben
  • Doppelte Schnittstelle der Datenrate (DDR) auf Häfen lesen und schreiben, 700 MHZ-Datentransferraten bei 350 MHZ ermöglichend

 

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FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Größe und Tag:

USB-PD 3,

0 MPQ5031,

USB-PD-Prüfer QFN20

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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