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Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-MSC017SMA120B

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

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—— Nishikawa aus Japan

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Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-MSC017SMA120B

Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-MSC017SMA120B
Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-MSC017SMA120B Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-MSC017SMA120B

Großes Bild :  Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-MSC017SMA120B

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: MSC017SMA120B
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-MSC017SMA120B

Beschreibung
Teilnummer: MSC017SMA120B Befestigung der Art: Durch Loch
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: 5280 PF @ 1000 V Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 113A (Tc)
Fet-Art: N-Kanal Technologie: SiCFET (Silikon-Karbid)

Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-MSC017SMA120B

 

Produkt-Beschreibung von MSC017SMA120B

MSC017SMA120B ist MOSFET Energie des Silikonkarbids (sic), Leistung oversilicon MOSFET und Lösungen des Silikons IGBT bei der Senkung der Gesamtkosten des Besitzes für Hochspannungsanwendungen.

 

Spezifikation von MSC017SMA120B

Teilnummer MSC017SMA120B
Technologie
SiCFET (Silikon-Karbid)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
20V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
22mOhm @ 40A, 20V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
2.7V @ 4.5mA (Art)
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
249 nC @ 20 V


Paket-Entwurfszeichnung von MSC017SMA120B

Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-MSC017SMA120B 0

 

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Teilnummer Paket
NFM55PC155F1H4L SMD
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CC3120RNMARGKR VQFN64
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LM4876MM MSOP10

 

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

 

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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