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Graben Sie sic Chip der integrierten Schaltung der Energie MOSFETs-Transistor-IMW65R027M1H TO-247-3

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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—— Vincent aus Russland

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—— Nishikawa aus Japan

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—— Lina aus Deutschland

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Graben Sie sic Chip der integrierten Schaltung der Energie MOSFETs-Transistor-IMW65R027M1H TO-247-3

Graben Sie sic Chip der integrierten Schaltung der Energie MOSFETs-Transistor-IMW65R027M1H TO-247-3
SiC Trench Power MOSFETs Transistors IMW65R027M1H TO-247-3 Integrated Circuit Chip
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Großes Bild :  Graben Sie sic Chip der integrierten Schaltung der Energie MOSFETs-Transistor-IMW65R027M1H TO-247-3

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IMW65R027M1H
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Graben Sie sic Chip der integrierten Schaltung der Energie MOSFETs-Transistor-IMW65R027M1H TO-247-3

Beschreibung
Teilnummer: IMW65R027M1H Reihe: CoolSIC™ M1
Fet-Art: N-Kanal Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 650 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 47A (Tc) Befestigung der Art: Durch Loch

Graben Sie sic Chip der integrierten Schaltung der Energie MOSFETs-Transistor-IMW65R027M1H TO-247-3

 

Produkt-Beschreibung von IMW65R027M1H

IMW65R027M1H ist Graben-Starkstromgerät 650V CoolSiC M1 sic, N-Kanal einzelne FETs MOSFETs-Transistoren.

 

Spezifikation von IMW65R027M1H

Teilnummer IMW65R027M1H
Technologie
 
SiCFET (Silikon-Karbid)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
18V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
34mOhm @ 38.3A, 18V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
5.7V @ 11mA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (maximal)
+23V, -5V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
2131 PF @ 400 V
Verlustleistung (maximal)
189W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C | 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerät-Paket
PG-TO247-3-41


Anwendungen von IMW65R027M1H

  • Aufladungsinfrastruktur EV
  • Energiespeicher und -batterie für mation
  • Klasse Damplifiers

 

Andere Versorgungs-Produkt-Arten

Teilnummer Paket
CY9BF324MBGL-GK9E1 QFP
SPC5777MK0MVA8 FBGA-512
SPC5634MF2MLQ80 LQFP-144
SPC5645SF1VLT LQFP208
SPC5602PEF0MLL6 LQFP100
SPC5748CBK0AMKU6 HTSSOP14

 

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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