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IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Single FET MOSFET Transistor integrierte Schaltung Chip TO-247-4 Paket

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

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Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

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IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Single FET MOSFET Transistor Integrated Circuit Chip TO-247-4 Package
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Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IMZA65R048M1H
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-4
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Single FET MOSFET Transistor integrierte Schaltung Chip TO-247-4 Paket

Beschreibung
Teilenummer: IMZA65R048M1H Vgs: -5 - 23 V
Tor-Quelldurchsickernstrom: 100 na Nulltorspannungs-Abflussstrom: µA 150
Torwiderstand: Ω 6,0 Offener Abfluss: 1 MHz

IMZA65R048M1H Integrierter Schaltungschip 650V 20A 75W Einzel-FET-MOSFET-Transistor TO-247-4-Gehäuse
Produktübersicht

IMZA65R048M1H High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) bieten schnelle Ein- und Ausschaltgeschwindigkeiten bei minimalen Schaltverlusten.

Spezifikationen
Teilenummer: IMZA65R048M1H Virtuelle Sperrschichttemperatur: -55 - 175 °C
Drain-Source-Spannung: 1200 V Anzugsdrehmoment: 0,6 Nm
Durchlassspannung der Body-Diode: 5,2 V Null-Gate-Spannungs-Drainstrom: 165 µA
Hauptmerkmale
  • Transistor mit Anreicherungsmodus, normalerweise AUS-Schalter
  • GaN HEMT in kleinem, gehäuselosem SMD-Gehäuse
  • GaN-spezifische Qualifizierung
  • Ultra-schnelles Schalten
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Häufig gestellte Fragen
F: Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind original, Neuimporte sind unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
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A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinmengenbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Ihrer Bestellung oder Ihrem Projekt.
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A: Wir versenden per Express, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden. Die Produkte werden gut verpackt und die Sicherheit gewährleistet, und wir haften für Produktschäden an Ihrer Bestellung.
F: Was ist mit der Lieferzeit?
A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn nicht auf Lager, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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