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Silikon-Karbid-Graben TO-263-8 des N-Kanal-IMBG120R220M1H 1200V MOSFET-Transistoren

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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Silikon-Karbid-Graben TO-263-8 des N-Kanal-IMBG120R220M1H 1200V MOSFET-Transistoren

Silikon-Karbid-Graben TO-263-8 des N-Kanal-IMBG120R220M1H 1200V MOSFET-Transistoren
N-Channel IMBG120R220M1H 1200V Silicon Carbide Trench TO-263-8 MOSFET Transistors
Silikon-Karbid-Graben TO-263-8 des N-Kanal-IMBG120R220M1H 1200V MOSFET-Transistoren Silikon-Karbid-Graben TO-263-8 des N-Kanal-IMBG120R220M1H 1200V MOSFET-Transistoren

Großes Bild :  Silikon-Karbid-Graben TO-263-8 des N-Kanal-IMBG120R220M1H 1200V MOSFET-Transistoren

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IMBG120R220M1H
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-263-8
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

Silikon-Karbid-Graben TO-263-8 des N-Kanal-IMBG120R220M1H 1200V MOSFET-Transistoren

Beschreibung
Teilnummer: IMBG120R220M1H Abfallzeit: 11 ns
Vorwärtstransconductance - Minute: 1,9 S Konfiguration: Einzeln
Anstiegszeit: 1,1 ns Typische Abschaltverzögerungs-Zeit: 16 ns

Silikon-Karbid-Graben TO-263-8 des N-Kanal-IMBG120R220M1H 1200V MOSFET-Transistoren

 

Produkt-Beschreibung von IMBG120R220M1H

IMBG120R220M1H ist Silikon-Karbid-Graben MOSFET-Transistoren des N-Kanal-1200V CoolSiC™ mit .XT-Verbindungstechnologie.

 

Spezifikation von IMBG120R220M1H

Teilnummer: IMBG120R220M1H
Sic
SMD/SMT
PG-TO263-7
N-Kanal
1 Kanal
1,2 KV
13 A
294 mOhms
- 7 V, + 23 V
5,7 V
9,4 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W

 

Eigenschaften von IMBG120R220M1H

  • niedrige zugeschaltete Verluste
  • Kurzschluss widerstehen Zeit 3 µs
  • Festpunkttor-Schwellenspannung, VGS (Th) = 4.5V
  • .XT-Verbindungstechnologie für beste in klasse thermische Leistung
  • Paket Creepage und Freigabenabstand > 6.1mm

 

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FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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