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Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren TO-247-4 der integrierten Schaltung des Chip-IMZ120R030M1H

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

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Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren TO-247-4 der integrierten Schaltung des Chip-IMZ120R030M1H

Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren TO-247-4 der integrierten Schaltung des Chip-IMZ120R030M1H
Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren TO-247-4 der integrierten Schaltung des Chip-IMZ120R030M1H

Großes Bild :  Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren TO-247-4 der integrierten Schaltung des Chip-IMZ120R030M1H

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IMZ120R030M1H
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-4
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren TO-247-4 der integrierten Schaltung des Chip-IMZ120R030M1H

Beschreibung
Teilnummer: IMZ120R030M1H Reihe: CoolSiC™
Fet-Art: N-Kanal Vgs (maximal): +23V, -7V
Befestigung der Art: Durch Loch Lieferanten-Gerät-Paket: PG-TO247-4-1

Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren TO-247-4 der integrierten Schaltung des Chip-IMZ120R030M1H

 

Produkt-Beschreibung von IMZ120R030M1H

IMZ120R030M1H ist N-Kanal 1200V einzelne FETs MOSFETs-Transistoren, Paket ist TO-247-4, durch Loch.

 

Spezifikation von IMZ120R030M1H

Teilnummer IMZ120R030M1H
Technologie
SiCFET (Silikon-Karbid)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
40mOhm @ 25A, 18V
Vgs (maximal)
+23V, -7V
Betriebstemperatur
-55°C | 175°C (TJ)

 

Eigenschaften von IMZ120R030M1H

  • Abfluss-Quellspannung, Tvj-≥ 25°C: 1200V
  • Pulsierter Abfluss gegenwärtiges 150A, TP begrenzte durch Tvjmax, VGS = 18V
  • Widerstandszeit des Kurzschlusses 3µs, VDD = 800V, VDS, Spitze < 1200V="">

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer Paket
XA6SLX75-3FGG484Q FCBGA-484
XA6SLX75-2FGG484Q FCBGA-484
XA6SLX75-3CSG484Q 484-CSPBGA
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FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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