N-Kanal 1200V des Silikon-Karbid-IMW120R090M1H MOSFETs-Transistoren TO-247-3

Silikonkarbid IMW120R090M1H N-Kanal 1200V MOSFETs Transistoren TO-247-3

Beschreibung des ProduktsImW120R090M1H

IMW120R090M1H ist ein CoolSiCTM 1200V SiC Trench MOSFET aus Siliziumkarbid MOSFET, sehr geringe Schaltverluste.

Spezifikation vonImW120R090M1H

Merkmale derImW120R090M1H

• Grenzwertfrei für die Zustandskennzeichnung
• Breiter Spannungsbereich von Tor-Quelle
• Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS ((th) = 4,5V
• 0V-Auslösespannung für einfache Antriebsvorrichtung
• Vollständig steuerbare dV/dt
• Robuste Körperdiode für eine harte Kommutation

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Häufig gestellte Fragen

F: Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Bestellmengen oder Proben unterstützen?Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
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A: Wir verwenden Express, um zu versenden, wie DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
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A: Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Lagerbestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.