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1200V graben sic N-Kanal-Transistoren TO-247-4 MOSFET IMZ120R350M1H durch Loch

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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1200V graben sic N-Kanal-Transistoren TO-247-4 MOSFET IMZ120R350M1H durch Loch

1200V graben sic N-Kanal-Transistoren TO-247-4 MOSFET IMZ120R350M1H durch Loch
1200V graben sic N-Kanal-Transistoren TO-247-4 MOSFET IMZ120R350M1H durch Loch 1200V graben sic N-Kanal-Transistoren TO-247-4 MOSFET IMZ120R350M1H durch Loch

Großes Bild :  1200V graben sic N-Kanal-Transistoren TO-247-4 MOSFET IMZ120R350M1H durch Loch

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IMZ120R350M1H
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-4
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

1200V graben sic N-Kanal-Transistoren TO-247-4 MOSFET IMZ120R350M1H durch Loch

Beschreibung
Teilnummer: IMZ120R350M1H Festpunkttor-Schwellenspannung: VGS (Th) = 4.5V
Tvj, maximal: 175°C Identifikation TC = 25°C, Rth (maximal): 4,7A
Abfluss-Quellspannung, Tvj-≥ 25°C: 1200V Kurzschlusswiderstandszeit: 3µs

1200V graben sic N-Kanal-Transistoren TO-247-4 MOSFET IMZ120R350M1H durch Loch

 

Produkt-Beschreibung von IMZ120R350M1H

IMZ120R350M1H ist CoolSiC™ 1200V graben sic MOSFET, N-Kanal-Silikon-Karbid MOSFET-Transistoren.

 

Spezifikation von IMZ120R350M1H

Teilnummer IMZ120R350M1H
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
5.7V @ 1mA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
5,3 nC @ 18 V
Vgs (maximal)
+23V, -7V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
182 PF @ 800 V
Verlustleistung (maximal)
60W (Tc)

 

Eigenschaften von IMZ120R350M1H

  • Leistungsfähigkeits-Verbesserung
  • Ermöglichen der höheren Frequenz
  • Erhöhte Energiedichte
  • Abkühlende Bemühungsreduzierung
  • Reduzierung der Systemkomplexität und -kosten

 

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Teilnummer Paket
XC7A100T-1FGG484C BGA484
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FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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