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Silikon-Karbid-Flächentransistor TO-247-4 N-Kanal MOSFET IMYH200R012M1H 2000V

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

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—— Vincent aus Russland

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—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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Silikon-Karbid-Flächentransistor TO-247-4 N-Kanal MOSFET IMYH200R012M1H 2000V

Silikon-Karbid-Flächentransistor TO-247-4 N-Kanal MOSFET IMYH200R012M1H 2000V
Silikon-Karbid-Flächentransistor TO-247-4 N-Kanal MOSFET IMYH200R012M1H 2000V

Großes Bild :  Silikon-Karbid-Flächentransistor TO-247-4 N-Kanal MOSFET IMYH200R012M1H 2000V

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IMYH200R012M1H
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-4
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Silikon-Karbid-Flächentransistor TO-247-4 N-Kanal MOSFET IMYH200R012M1H 2000V

Beschreibung
Teilnummer: IMYH200R012M1H Reihe: CoolSiC™
Vgs (maximal): +20V, -7V Verlustleistung (maximal): 552W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C | 175°C (TJ) Befestigung der Art: Durch Loch

Silikon-Karbid-Flächentransistor TO-247-4 N-Kanal MOSFET IMYH200R012M1H 2000V

 

Produkt-Beschreibung von IMYH200R012M1H

IMYH200R012M1H ist N-Kanal MOSFETs-Silikon-Karbid-Flächentransistor, durch Loch, Paket ist TO-247-4.

 

Spezifikation von IMYH200R012M1H

Teilnummer IMYH200R012M1H
Fet-Art
N-Kanal
Technologie
Sic (Silikon-Karbid-Flächentransistor)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
2000 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
123A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
16.5mOhm @ 60A, 18V

 

Eigenschaften von IMYH200R012M1H

  • RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: 16.5mOhm @ 60A, 18V
  • Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 5.5V @ 48mA
  • Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: 246 nC @ 18 V

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer Paket
BQ24250CYFFR DSBGA30
MA4ST401CK-287 SOT-23
TPS51220ARSNR QFN32
CM3202-00DE QFN
5AGZME1E3H29C4N BGA
PSS30S92E6-AG Modul


FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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