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FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW Module der Graben-Feld-Endtransistor-IGBT

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW Module der Graben-Feld-Endtransistor-IGBT

FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW Module der Graben-Feld-Endtransistor-IGBT
FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW Trench Field Stop Transistors IGBT Modules
FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW Module der Graben-Feld-Endtransistor-IGBT FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW Module der Graben-Feld-Endtransistor-IGBT

Großes Bild :  FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW Module der Graben-Feld-Endtransistor-IGBT

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: FP75R12N2T7BPSA2
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: Modul
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW Module der Graben-Feld-Endtransistor-IGBT

Beschreibung
Teilnummer: FP75R12N2T7BPSA2 Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal: 1200 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung: 1,55 V Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C: 75 A
RTI Elektr: 140°C Streuinduktanzmodul: 35nH

FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW Module der Graben-Feld-Endtransistor-IGBT


Produkt-Beschreibung von FP75R12N2T7BPSA2
FP75R12N2T7BPSA2 schließen dreiniveauanwendungen, Motorantriebe, Solaranwendungen und UPS-Systeme in EasyPACK™-Modulen ein.


Spezifikation von FP75R12N2T7BPSA2

Teilnummer

FP75R12N2T7BPSA2

Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal)

µA 14

Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce

N-Düngung 15,1 @ 25 V

Input

Dreiphasenbrückengleichrichter

NTC-Thermistor

Ja

 
Eigenschaften von Automobil-IGBT-Modulen

  • Vor-angewandtes thermisches Schnittstellenmaterial

  • Überlastungsoperation bis zu 175°C

  • Niedriges VCE, saß

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer

Paket

SD9218-BBG

BGA

SE2528L-R

QFN

SE2529L-R

QFN

SFH1690AT

BESCHWICHTIGUNGSMITTEL

SF-FP2000

BESCHWICHTIGUNGSMITTEL

SFH6106-1

SOP-4


FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität

Größe und Tag:

Automobil-IGBT-Module 400A,

Energie-Modul FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

IGBT-Pulver-Modul 1200V

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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