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Automobil-Silikon-Karbid-Modul IGBT-Modul-DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

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Automobil-Silikon-Karbid-Modul IGBT-Modul-DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel

Automobil-Silikon-Karbid-Modul IGBT-Modul-DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel
Automotive IGBT Modules DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel Silicon Carbide Module
Automobil-Silikon-Karbid-Modul IGBT-Modul-DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel Automobil-Silikon-Karbid-Modul IGBT-Modul-DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel

Großes Bild :  Automobil-Silikon-Karbid-Modul IGBT-Modul-DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: Modul
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Automobil-Silikon-Karbid-Modul IGBT-Modul-DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel

Beschreibung
Teilnummer: DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 Technologie: Silikon-Karbid (sic)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 1200V Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 5.15V @ 20mA
Macht- maximales: 20mW Paket/Fall: Modul

Automobil-Silikon-Karbid-Modul IGBT-Modul-DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel


Produkt-Beschreibung von DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 ist Mosfet-Reihe 1200V, 45A, Berg der Fahrgestelle-20mW, 2 N-Kanal-Transistor-Modul.


Spezifikation von DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Teilnummer DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
Technologie
Silikon-Karbid (sic)
Konfiguration
N-Kanal 2
Fet-Eigenschaft
Silikon-Karbid (sic)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
1200V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
45A
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
16.2mOhm @ 50A, 18V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
5.15V @ 20mA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
149nC @ 18V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
4400pF @ 800V
Macht- maximales
20mW
Betriebstemperatur
-40°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art
Fahrgestelle-Berg
Paket/Fall
Modul
Lieferanten-Gerät-Paket
AG-EASY1B

 

Paket-Foto von DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

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FAQ
Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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