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Automobil-IGBT Module 20mW 2N-Channel des Silikon-Karbid-DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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Automobil-IGBT Module 20mW 2N-Channel des Silikon-Karbid-DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Automobil-IGBT Module 20mW 2N-Channel des Silikon-Karbid-DF23MR12W1M1PB11BPSA1
Automobil-IGBT Module 20mW 2N-Channel des Silikon-Karbid-DF23MR12W1M1PB11BPSA1 Automobil-IGBT Module 20mW 2N-Channel des Silikon-Karbid-DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Großes Bild :  Automobil-IGBT Module 20mW 2N-Channel des Silikon-Karbid-DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: DF23MR12W1M1PB11BPSA1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: Modul
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Automobil-IGBT Module 20mW 2N-Channel des Silikon-Karbid-DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Beschreibung
Teilnummer: DF23MR12W1M1PB11BPSA1 Technologie: Silikon-Karbid (sic)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 1200 V (1,2 kV) RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 25A (Tj) Konfiguration: N-Kanal 2 (Doppel)

Automobil-IGBT Module 20mW 2N-Channel des Silikon-Karbid-DF23MR12W1M1PB11BPSA1


Produkt-Beschreibung von DF23MR12W1M1PB11BPSA1

DF23MR12W1M1PB11BPSA1 ist Verstärker-1200 V CoolSiC™ MOSFET-Modul, 2 N-Kanal-(Doppel) Transistoren, Silikon-Karbid-(sic) Modul.


Spezifikation von DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Teilnummer DF23MR12W1M1PB11BPSA1
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
62nC @ 15V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
1840pF @ 800V
Macht- maximales
20mW
Betriebstemperatur
-40°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art
Fahrgestelle-Berg
Paket/Fall
Modul
Lieferanten-Gerät-Paket
AG-EASY1B-2

 

Eigenschaften von DF23MR12W1M1PB11BPSA1

  • Dioden-GEN 5 CoolSiC Schottky kühl
  • Hohe spezifische Stromdichte
  • Sensor Integrierter NTC Temperatur

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer Paket
Z3735D BGA
XC1900A-20SR SMD
CLC014AJE-TR13 BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
CY7B9334-270JXCT PLCC
PT2222-001 BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
MAX6071UNT25 SOT-6

 

FAQ
Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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