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Der integrierten Schaltung des Chip-FDMT80060DC N Transistoren Kanal-der Transistor-8-PowerVDFN

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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Der integrierten Schaltung des Chip-FDMT80060DC N Transistoren Kanal-der Transistor-8-PowerVDFN

Der integrierten Schaltung des Chip-FDMT80060DC N Transistoren Kanal-der Transistor-8-PowerVDFN
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Großes Bild :  Der integrierten Schaltung des Chip-FDMT80060DC N Transistoren Kanal-der Transistor-8-PowerVDFN

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: FDMT80060DC
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: 8-PowerVDFN
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Der integrierten Schaltung des Chip-FDMT80060DC N Transistoren Kanal-der Transistor-8-PowerVDFN

Beschreibung
Teilnummer: FDMT80060DC Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: 20170 PF @ 30 V
Verlustleistung (maximal): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art: Oberflächenberg Lieferanten-Gerät-Paket: 8-Dual Cool™88

Der integrierten Schaltung des Chip-FDMT80060DC N Transistoren Kanal-der Transistor-8-PowerVDFN

 
Produkt-Beschreibung von FDMT80060DC

FDMT80060DC N−Channel MOSFET wird unter Verwendung modernen das POWERTRENCH-Prozesses der onsemis produziert. Förderungen im Silikon und in den KÜHLEN Paketverdoppelungtechnologien sind kombiniert worden, um das niedrigste RDS anzubieten (an) während instandhaltene ausgezeichnete Schaltungsleistung durch extrem - niedrigen thermischen Widerstand Junction−to−Ambient.


Spezifikation von FDMT80060DC

Teilnummer FDMT80060DC
Fet-Art
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
60 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
43A (Ta), 292A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
1.1mOhm @ 43A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
4.5V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
238 nC @ 10 V

 

Eigenschaften von Transistoren

  • Maximales RDS (an) = 1,1 m an VGS = 10 V, Identifikation = 43 A
  • Maximales RDS (an) = 1,3 m an VGS = 8 V, Identifikation = 37 A
  • Moderne Paket-und Silikon-Kombination für niedriges RDS (an) und hohe Leistungsfähigkeit
  • Generation erhöhte die Körper-Dioden-Technologie, ausgeführt für weiche Wiederaufnahme
  • Flaches Paket 8x8 Millimeter MLP
  • Robuste MSL1 Verpackungsgestaltung

 

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AKKU2110BX SSOP
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FAQ
Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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