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Transistoren 100A der großen Bandlücke SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT020H120G3AG sic MOSFETs

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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Transistoren 100A der großen Bandlücke SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT020H120G3AG sic MOSFETs

Transistoren 100A der großen Bandlücke SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT020H120G3AG sic MOSFETs
Transistoren 100A der großen Bandlücke SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT020H120G3AG sic MOSFETs Transistoren 100A der großen Bandlücke SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT020H120G3AG sic MOSFETs

Großes Bild :  Transistoren 100A der großen Bandlücke SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT020H120G3AG sic MOSFETs

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: SCT020H120G3AG
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: H2PAK-7
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Transistoren 100A der großen Bandlücke SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT020H120G3AG sic MOSFETs

Beschreibung
Teilnummer: SCT020H120G3AG Gesamtleistungsableitung an TC = °C 25: 555 W
Abflussstrom (pulsiert): 281 A Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = °C 100 ab: 70 A
Thermischer Widerstand, Kreuzung-zufall: 0,27 °C/W Tor-Quellvorübergehende Spannung, TP < 1 μs, t-≤ 10 Stunden über Lebenszeit: -11V zu 25V

Transistoren 100A der großen Bandlücke SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT020H120G3AG sic MOSFETs

 

Produkt-Beschreibung von SCT020H120G3AG

SCT020H120G3AG MOSFETs sic - Transistoren der großen Bandlücke 100A, verbessern Anwendungsleistung in der Frequenz, in der Energieeffizienz, in der Systemgröße und im Gewichtsverminderung.

 

Spezifikation von SCT020H120G3AG

Teilnummer: SCT020H120G3AG Art RDS (an): 18,5 MΩ
Statische Abfluss-Quellauf-widerstand-(VGS = 18 V, Identifikation = 50 A) Art: 18.5mΩ Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand (VGS = 18 V, Identifikation = 50 A) maximal: 28mΩ
Tor-Eingangswiderstand-(F = 1MHz, Identifikation = 0A) Art: 1.5Ω Paket: H2PAK-7

 

Gesamtleistungs-Ableitung von SCT020H120G3AG

Transistoren 100A der großen Bandlücke SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT020H120G3AG sic MOSFETs 0

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer Paket
IRFB3004 TO-220
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IRFB4321 TO-220
IRFH5020 DFN5*6
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IRFH8337 DFN5x6

 

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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