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Chip SCT040H65G3AG SIC-integrierter Schaltung sic MOSFETs H ² PAK-7 Transistoren großer Bandlücke

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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Chip SCT040H65G3AG SIC-integrierter Schaltung sic MOSFETs H ² PAK-7 Transistoren großer Bandlücke

Chip SCT040H65G3AG SIC-integrierter Schaltung sic MOSFETs H ² PAK-7 Transistoren großer Bandlücke
SIC Integrated Circuit Chip SCT040H65G3AG SiC MOSFETs H²PAK-7 Wide Bandgap Transistors
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Großes Bild :  Chip SCT040H65G3AG SIC-integrierter Schaltung sic MOSFETs H ² PAK-7 Transistoren großer Bandlücke

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: SCT040H65G3AG
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: H-² PAK-7
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Chip SCT040H65G3AG SIC-integrierter Schaltung sic MOSFETs H ² PAK-7 Transistoren großer Bandlücke

Beschreibung
Teilnummer: SCT040H65G3AG Zugeschaltete Energie der Drehung-weg (RG=15Ω, VGS=-5V zu 18V) Art: 67µJ
Paket: H-² PAK-7 Art: Sic Transistoren der MOSFETs-großen Bandlücke
Vorderesgegenwärtiges der ununterbrochenen Diode (TC = °C) 100: 30A Diodenvorwärtsspannung (ISD = 20 A, VGS = 0 V) Art: 2.8V

Chip SCT040H65G3AG SIC-integrierter Schaltung sic MOSFETs H ² PAK-7 Transistoren großer Bandlücke

 

Produkt-Beschreibung von SCT040H65G3AG

SCT040H65G3AG-Automobil-Grad-Silikonkarbid Energie MOSFET 650 V, 40 mOhm Art., 30 A in einem Paket H2PAK-7.

 

Spezifikation von SCT040H65G3AG

Teilnummer: SCT040H65G3AG Paket: H-² PAK-7
Abfluss-Quelldurchbruchsspannungs-(VGS = 0 V, Identifikation = 1 MA) Minute: 650 V Eingegebene Kapazitanz (VDS = 400 V, F = 1 MHZ, VGS = 0 V) Art: 920pF
Tor-Eingangswiderstand (F = 1 MHZ, Identifikation = 0 A) Art: 1.4Ω Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke: -55°C zu 175°C

 

Typische Übergangseigenschaften von SCT040H65G3AG

Chip SCT040H65G3AG SIC-integrierter Schaltung sic MOSFETs H ² PAK-7 Transistoren großer Bandlücke 0

 

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FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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