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Chip integrierten Schaltung der SIC-MOSFETs-SCT070HU120G3AG SIC des Chip-HU3PAK 1200V 63mΩ IC

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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—— Nishikawa aus Japan

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Chip integrierten Schaltung der SIC-MOSFETs-SCT070HU120G3AG SIC des Chip-HU3PAK 1200V 63mΩ IC

Chip integrierten Schaltung der SIC-MOSFETs-SCT070HU120G3AG SIC des Chip-HU3PAK 1200V 63mΩ IC
SIC MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC Integrated Circuit Chip HU3PAK 1200V 63mΩ IC Chip
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Großes Bild :  Chip integrierten Schaltung der SIC-MOSFETs-SCT070HU120G3AG SIC des Chip-HU3PAK 1200V 63mΩ IC

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: SCT070HU120G3AG
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: HU3PAK
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Chip integrierten Schaltung der SIC-MOSFETs-SCT070HU120G3AG SIC des Chip-HU3PAK 1200V 63mΩ IC

Beschreibung
Teilnummer: SCT070HU120G3AG Abfluss-Quellspannung: 1200V
Abflussstrom (pulsiert): 100A Nulltorspannungs-Abflussstrom (VGS = 0 V, VDS = V) 1200 maximal: 10µA
Tor-Körperdurchsickernstrom (VDS = 0V, VGS = -10 zu 22V) maximal: Na ±100 Vorderesgegenwärtiges der ununterbrochenen Diode (TC = °C) 25: 30A

Chip integrierten Schaltung der SIC-MOSFETs-SCT070HU120G3AG SIC des Chip-HU3PAK 1200V 63mΩ IC

 

Produkt-Beschreibung von SSCT070HU120G3AG

SCT070HU120G3AG dieses Silikonkarbid Energie MOSFET-Gerät ist unter Verwendung moderner und innovativer 3. Generation sic MOSFET-Technologie entwickelt worden.

 

Spezifikation von SCT070HU120G3AG

Teilnummer: SCT070HU120G3AG Gesamtleistungs-Ableitung an TC = °C 25: 223W
Lagertemperaturbereich: -55 °C zu °C 175 Thermischer Widerstand, Kreuzung-Zu-Fall: 0,67 °C/W
Thermischer Widerstand Kreuzung-Zu-umgebend: 50 °C/W Paket: HU3PAK

 

Eigenschaften des Chips SIC-integrierter Schaltung

  • niedriges RDS (an) über der gesamten Temperaturspanne
  • Zugeschaltete Hochgeschwindigkeitsleistungen
  • Sehr schnelle und robuste tatsächliche Körperdiode
  • Quellabfragungsstift für erhöhte Leistungsfähigkeit

 

Anwendungen von SCT070HU120G3AG

  • Hauptinverter (elektrische Zugkraft)

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer Paket
IRF1405 TO-220
IRF1407 TO-220
IRF1902 SOP-8
IRF2804 TO-220
IRF2807 TO-220
IRF2907 TO-220

 

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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