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Chip 650V TO-263-8 der integrierten Schaltung der n-Kanal MOSFETs-Transistor-IPBE65R115CFD7A

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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Chip 650V TO-263-8 der integrierten Schaltung der n-Kanal MOSFETs-Transistor-IPBE65R115CFD7A

Chip 650V TO-263-8 der integrierten Schaltung der n-Kanal MOSFETs-Transistor-IPBE65R115CFD7A
Chip 650V TO-263-8 der integrierten Schaltung der n-Kanal MOSFETs-Transistor-IPBE65R115CFD7A Chip 650V TO-263-8 der integrierten Schaltung der n-Kanal MOSFETs-Transistor-IPBE65R115CFD7A

Großes Bild :  Chip 650V TO-263-8 der integrierten Schaltung der n-Kanal MOSFETs-Transistor-IPBE65R115CFD7A

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IPBE65R115CFD7A
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: PG-TO263-7-11
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Chip 650V TO-263-8 der integrierten Schaltung der n-Kanal MOSFETs-Transistor-IPBE65R115CFD7A

Beschreibung
Teilnummer: IPBE65R115CFD7A Vgs (maximal): ±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: 1950 PF @ 400 V Verlustleistung (maximal): 114W (Tc)
Befestigung der Art: Oberflächenberg Betriebstemperatur: -40°C | 150°C (TJ)

Chip 650V TO-263-8 der integrierten Schaltung der n-Kanal MOSFETs-Transistor-IPBE65R115CFD7A

 

Produkt-Beschreibung von IPBE65R115CFD7A

MOSFETs-Transistoren N-Kanal IPBE65R115CFD7A 650V, das Paket ist TO-263-8 (Oberflächenberg).

 

Spezifikation von IPBE65R115CFD7A

Teilnummer IPBE65R115CFD7A
Fet-Art
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
650 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
115mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
4.5V @ 490µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
41 nC @ 10 V

 

Eigenschaften des Chips der integrierten Schaltung

  • Späteste qualifizierte Automobiltechnologie 650V mit integrierter schneller Körperdiode auf dem Markt, der ultra niedriges Qrr kennzeichnet
  • Kelvin-Quellkontakt verfügbar
  • Niedriger zugeschaltete Verluste, höheren Schaltfrequenzen ermöglichend
  • Hohe Qualität und Zuverlässigkeit
  • Moderne Steuerbarkeit wegen Kelvin-Quelle

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer Paket
RCLAMP0514M.TBT MSOP-10
RD48F2000W0ZTQ0 BGA
RDA3565ES QFN
RDA5206A QFN
RDA5207 QFN
RDA5215 QFN

 

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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