Transistor-Automobil des IGBT-Graben-Feld-End1200v AFGHL40T120RLD 529W bricht ab

Transistor-Automobil des IGBT-Graben-Feld-End1200v AFGHL40T120RLD 529W bricht ab

Produkt-Beschreibung von AFGHL40T120RLD

AFGHL40T120RLD ist IGBT-Graben-Feld-Halt 1200 V 48 A 529 W durch Temperatur Co−efficient des Loch-TO-247-3.Positive für einfache parallele Operation.

Spezifikation von AFGHL40T120RLD

Eigenschaften von AFGHL40T120RLD

• Maximale Grenzschichttemperatur: TJ = 175°C

• Hohe gegenwärtige Fähigkeit

• Niedrige Sättigungs-Spannung: VCE (SAT) = 1,57 V (Art.) @ IC = 30 A

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FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.