Automobil 238W bricht Graben-Feld-Endtransistoren TO-247-3 AFGHL40T65SPD IGBT ab

Automobil 238W bricht Graben-Feld-Endtransistoren TO-247-3 AFGHL40T65SPD IGBT ab

Produkt-Beschreibung von AFGHL40T65SPD

Graben-Feld-Endtransistoren AFGHL40T65SPD IGBT - einzelne IGBTs Transistoren 238W, Paket ist TO-247-3, vorübergehende Gate−To−Emitter-Spannung ist ±30V.

Spezifikation von AFGHL40T65SPD

Eigenschaften von Automobil-Chips

• Niedrige Sättigungs-Spannung: VCE (SAT) = 1,6 V (Art.) @ IC = 40 A
• 100% der Teile werden auf ILM geprüft
• Thermischer Widerstand junction−to−case, für IGBT: 0.63°C/W
• Thermischer Widerstand junction−to−case, für Diode: 1.71°C/W
• Thermischer Widerstand junction−to−ambient: 40°C/W

Andere Versorgungs-Produkt-Arten

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.