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Universelles Oberflächentransistor-Automobil des berg-AFGB40T65SQDN IGBT bricht ab

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

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—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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Universelles Oberflächentransistor-Automobil des berg-AFGB40T65SQDN IGBT bricht ab

Universelles Oberflächentransistor-Automobil des berg-AFGB40T65SQDN IGBT bricht ab
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Großes Bild :  Universelles Oberflächentransistor-Automobil des berg-AFGB40T65SQDN IGBT bricht ab

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: AFGB40T65SQDN
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-263-3
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Universelles Oberflächentransistor-Automobil des berg-AFGB40T65SQDN IGBT bricht ab

Beschreibung
Teilnummer: AFGB40T65SQDN Art: Transistoren
Produkt-Status: Aktiv Macht- maximales: 238 W
Eingegebene Art: Standard Zugeschaltete Energie: 858µJ (an), 229µJ (weg)

Universelles Oberflächentransistor-Automobil des berg-AFGB40T65SQDN IGBT bricht ab

 

Produkt-Beschreibung von AFGB40T65SQDN

AFGB40T65SQDN ist einzelnes IGBT 650 V 80 A 238 W, das Oberflächenberg Transistors.Package TO-263-3 ist.

 

Spezifikation von AFGB40T65SQDN

Teilnummer:

AFGB40T65SQDN

Pulsierter Kollektorstrom:

160A

Kollektorstrom:

40A

Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich:

°C -55 bis +175

ILM:

100%

Art:

Transistoren

 

Eigenschaften von AFGB40T65SQDN

  • EGZ Q101 qualifizierte

  • Positiver Temperatur-Koeffizient

  • Niedrige Sättigungs-Spannung

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer

Paket

S912XDG128F2CAA

QFP80

S9S08DZ32F1MLH

LQFP

SA4990

BESCHWICHTIGUNGSMITTEL

SA572DR2G

BESCHWICHTIGUNGSMITTEL

SA8500V1.1

QFP

SAA6581T

BESCHWICHTIGUNGSMITTEL

 

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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