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Automobil 650V bricht Transistoren TO-247-3 des AFGHL50T65SQDC-Feld-Endgraben-IGBT ab

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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Automobil 650V bricht Transistoren TO-247-3 des AFGHL50T65SQDC-Feld-Endgraben-IGBT ab

Automobil 650V bricht Transistoren TO-247-3 des AFGHL50T65SQDC-Feld-Endgraben-IGBT ab
Automobil 650V bricht Transistoren TO-247-3 des AFGHL50T65SQDC-Feld-Endgraben-IGBT ab Automobil 650V bricht Transistoren TO-247-3 des AFGHL50T65SQDC-Feld-Endgraben-IGBT ab

Großes Bild :  Automobil 650V bricht Transistoren TO-247-3 des AFGHL50T65SQDC-Feld-Endgraben-IGBT ab

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: AFGHL50T65SQDC
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Automobil 650V bricht Transistoren TO-247-3 des AFGHL50T65SQDC-Feld-Endgraben-IGBT ab

Beschreibung
Teilnummer: AFGHL50T65SQDC Collector−to−Emitter-Spannung: 650V
Gate−To−Emitter-Spannung: ±20V Vorübergehende Gate−to−Emitter-Spannung: ±30V
Kollektorstrom @ TC = 25°C: 80A Kollektorstrom @ TC = 100°C: 50A

Automobil 650V bricht Transistoren TO-247-3 des AFGHL50T65SQDC-Feld-Endgraben-IGBT ab

 

Produkt-Beschreibung von AFGHL50T65SQDC

AFGHL50T65SQDC-Feld-Endgraben IGBT, unter Verwendung der Hochgeschwindigkeits-IGBT Technologie der neuen Feldend4. Generation.

 

Spezifikation von AFGHL50T65SQDC

Teilnummer: AFGHL50T65SQDC Gegenwärtiges - Kollektor (IC) - maximales: 80 A
Betriebstemperatur (Minute): -55°C (TJ) Testbedingung: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Betriebstemperatur (maximal): 175°C (TJ) Zugeschaltete Energie: 950µJ (an), 460µJ (weg)

 

Gehäuseabmessungen von AFGHL50T65SQDC

Automobil 650V bricht Transistoren TO-247-3 des AFGHL50T65SQDC-Feld-Endgraben-IGBT ab 0
 

Andere Versorgungs-Produkt-Arten

Teilnummer Paket
PCM5101PWR SSOP
PD632-P DIP-3
PDTC114TU SOT323
PE42742 QFN
PEF22824EV1.2 BGA
PEF22825V1.1 QFP


FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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