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Automobil 375W bricht AFGHL75T65SQD IGBT einzelnen IGBT Transistor des Graben-Feld-End650v ab

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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Automobil 375W bricht AFGHL75T65SQD IGBT einzelnen IGBT Transistor des Graben-Feld-End650v ab

Automobil 375W bricht AFGHL75T65SQD IGBT einzelnen IGBT Transistor des Graben-Feld-End650v ab
Automobil 375W bricht AFGHL75T65SQD IGBT einzelnen IGBT Transistor des Graben-Feld-End650v ab Automobil 375W bricht AFGHL75T65SQD IGBT einzelnen IGBT Transistor des Graben-Feld-End650v ab

Großes Bild :  Automobil 375W bricht AFGHL75T65SQD IGBT einzelnen IGBT Transistor des Graben-Feld-End650v ab

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: AFGHL75T65SQD
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Automobil 375W bricht AFGHL75T65SQD IGBT einzelnen IGBT Transistor des Graben-Feld-End650v ab

Beschreibung
Teilnummer: AFGHL75T65SQD Gegenwärtiges - Kollektor (IC) - maximales: 80 A
Betriebstemperatur (Minute): -55°C (TJ) Testbedingung: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Betriebstemperatur (maximal): 175°C (TJ) Zugeschaltete Energie: 1.86mJ (an), 1.13mJ (weg)

Automobil 375W bricht AFGHL75T65SQD IGBT einzelnen IGBT Transistor des Graben-Feld-End650v ab

 

Produkt-Beschreibung von AFGHL75T65SQD

AFGHL75T65SQD bietet die optimale Leistung mit niedriger Leitung und zugeschalteten Verlusten für eine Operation der hohen Leistungsfähigkeit in den verschiedenen Anwendungen, besonders Totempfahl bridgeless PFC und DCDC-Block auch an.

 

Spezifikation von AFGHL75T65SQD

Teilnummer: AFGHL75T65SQD Niedrige Sättigungs-Spannung: VCE (SAT) = 1,6 V (Art.) @ IC = 75 A
Energie (maximal): 375 W Eingegebene Art: Standard
IGBT-Art: Graben-Feld-Halt Maximale Grenzschichttemperatur: TJ = 175°C

 

Eigenschaften von AFGHL75T65SQD

  • Schnelle Schaltung
  • Hohe gegenwärtige Fähigkeit
  • Maximale Grenzschichttemperatur: TJ = 175°C
  • Positive Temperatur Co−efficient für einfachen parallelen Betrieb

 

Anwendungen von AFGHL75T65SQD

  • Totempfahl Bridgeless PFC

 

Andere Versorgungs-Produkt-Arten

Teilnummer Paket
PCI7412ZHK BGA
PCM1781DBQR SSOP16
PCM1789PWR SSOP
PCM1801U SOP-14
PCM1808PWR TSSOP14
PCM2706CPJTR TQFP-32

 

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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