Automobil bricht Feld-Endtransistoren FGA40N65SMD einzelne IGBT ab TO-3PN durch Loch

Automobil bricht Feld-Endtransistoren TO-3PN FGA40N65SMD einzelne IGBT durch Loch ab

Produkt-Beschreibung von FGA40N65SMD

FGA40N65SMD ist 650V, Transistoren des Feld-40A des Endigbt. Das Paket ist TO-3PN. Positiver Temperatur-Koeffizient für einfachen parallelen Betrieb.

Spezifikation von FGA40N65SMD

Eigenschaften von Automobil-Chips

• Niedrige Sättigungs-Spannung: VCE (gesessen) = 1,9 V (Art.) @ IC = 40 A
• Schnelle Schaltung: EOFF = 6,5 uJ/A
• Ziehen Sie Parameter-Verteilung fest
• RoHS konform

Anwendungen von FGA40N65SMD

• PFC, Induktions-Heizung
• Telekommunikation, ESS

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FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.