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Der p-Kanal-IPD06P004N Chip 60V integrierten Schaltung Energie MOSFET-Transistor-TO-252-3

Name: Der p-Kanal-IPD06P004N Chip 60V integrierten Schaltung Energie MOSFET-Transistor-TO-252-3
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IPD06P004N
Availability: InStock

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Bescheinigung

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen

Kunden-Berichte

Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

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Der p-Kanal-IPD06P004N Chip 60V integrierten Schaltung Energie MOSFET-Transistor-TO-252-3

Großes Bild : Der p-Kanal-IPD06P004N Chip 60V integrierten Schaltung Energie MOSFET-Transistor-TO-252-3

Produktdetails:

Herkunftsort:	KN
Markenname:	Original Factory
Zertifizierung:	Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer:	IPD06P004N

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	10
Preis:	Contact for Sample
Verpackung Informationen:	PG-TO252-3
Lieferzeit:	5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	T/T, L/C, Western Union

Kontakt

Der p-Kanal-IPD06P004N Chip 60V integrierten Schaltung Energie MOSFET-Transistor-TO-252-3

Beschreibung

Teilnummer:	IPD06P004N	Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	60 V
Verlustleistung (maximal):	63W (Tc)	Antriebsspannung:	10 V
Betriebstemperatur (min):	-55°C (TJ)	Betriebstemperatur (maximal):	175°C (TJ)
Hervorheben:	IPD06P004N , IPD06P004N Integrierter Schaltkreislaufchip , MOSFET-Transistor mit P-Kanal-Leistung

P-Kanal IPD06P004N Leistungs-MOSFET-Transistor TO-252-3 integrierte Schaltung Chip 60V

- Ich weiß.

Beschreibung des ProduktsIPD06P004N

IPD06P004N ist ein 60V OptiMOS Power Transistor - P-Channel MOSFET Transistor, das Paket ist PG-TO252-3 ((Surface Mount).

Spezifikation vonIPD06P004N

Teilnummer	IPD06P004N
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss)	60 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C	16.4A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet)	10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 16,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 710μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (maximal)	± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 30 V
Leistungsausfall (maximal)	63 W (Tc)
Betriebstemperatur	-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Art der Montage	Oberflächenbefestigung
Lieferanten-Gerätepaket	PG-TO252-3
Packung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Merkmale derIntegrierter Schaltkreislauf

P-Kanal
Sehr geringer Widerstand (RDS eingeschaltet)
100% Lawinentest
Normaler Grad
Erweiterungsmodus
Pb-freies Bleiplatten;RoHS-konform

Blockdiagramm vonIPD06P004N

Der p-Kanal-IPD06P004N Chip 60V integrierten Schaltung Energie MOSFET-Transistor-TO-252-3 0

Andere vorhandene elektronische Komponenten

Teilnummer	Paket
Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I zu entnehmen.	SMD
EW-432	SOT23-3
F720J158MMC	SMD
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.	QFP
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.	QFP
FDD8896	TO-252

Häufig gestellte Fragen

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A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
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A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
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Größe und Tag:

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Versorgungsspannung - max: 3,6 V

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Anzahl der Ausgänge: 1

Spannung - Ausgang: 0,5 V ~ 1,8 V

Spannung - Eingang: 2,375 V ~ 3,5 V

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