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Graben-Starkstromgerät Silikon-Karbid MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

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—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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Graben-Starkstromgerät Silikon-Karbid MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC

Graben-Starkstromgerät Silikon-Karbid MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC
Silicon Carbide MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC Trench Power Device
Graben-Starkstromgerät Silikon-Karbid MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC Graben-Starkstromgerät Silikon-Karbid MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC

Großes Bild :  Graben-Starkstromgerät Silikon-Karbid MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IMZA65R072M1H
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-4
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Graben-Starkstromgerät Silikon-Karbid MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC

Beschreibung
Teilnummer: IMZA65R072M1H Zahl von Kanälen: 1 Kanal
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung: 650 V Id – Kontinuierlicher Drainstrom: 28 A
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung: 5,7 V Pd - Verlustleistung: 96 W

Graben-Starkstromgerät Silikon-Karbid MOSFET IMZA65R072M1H 650V CoolSiC M1SiC

 

Produkt-Beschreibung von IMZA65R072M1H

IMZA65R072M1H CoolSiC™ MOSFET-Technologie setzt die starken körperlichen Eigenschaften des Silikonkarbids wirksam ein und addiert einzigartige Eigenschaften, die des die Leistung, die Robustheit und die Benutzerfreundlichkeit Gerätes erhöhen. Der IMZA65R072M1H CoolSiC™ MOSFET 650V wird auf einem hochmodernen Grabenhalbleiter errichtet, optimiert, um keine Kompromisse zu erlauben, wenn man beide niedrigsten Verluste in der Anwendung und in der höchsten Zuverlässigkeit in Kraft erhält.
IMZA65R072M1H sic MOSFET Paket im Stift TO247 4 verringert parasitäre Quellinduktanzeffekte auf die Torschaltung, schnellerer Schaltung und erhöhter Leistungsfähigkeit ermöglichend.

 

Spezifikation von IMZA65R072M1H

Teilnummer IMZA65R072M1H Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 650 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 28A (Tc) Transistor-Polarität N-Kanal
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell 94 mOhms Qg - Tor-Gebühr 22 nC
Verlustleistung (maximal) 96W (Tc) Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ)

 

Eigenschaften von IMZA65R072M1H

  • Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents
  • CommutationrobustfastbodydiodewithlowQrr
  • Superiorgateoxidereliability
  • Bestthermalconductivityandbehavior
  • Andpulsecurrentdependencyontemperature LowerRDS (an)
  • Increasedavalanchecapability
  • Compatiblewithstandarddrivers (recommendeddrivingvol Alter: 18V)
  • Kelvinsourceprovidesupto4timeslowerswitchinglosses

 

Nutzen von IMZA65R072M1H

  • Hochleistung, hohe Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit
  • Erlaubt hohe System-Leistungsfähigkeit
  • Verringert Systemkosten und -komplexität
  • Ermöglicht Kleinsystemgröße
  • Arbeiten in den Topologien mit ununterbrochener harter Umwandlung
  • Sitz für hohe Temperatur und raue Operationen
  • Ermöglicht bidirektionalen Topologien

 

Mögliche Anwendungen von IMZA65R072M1H

  • Server
  • Telekommunikation
  • SMPS
  • Solarenergiesysteme
  • Energiespeicher und Batteriebildung
  • UPS
  • EV Aufladung
  • Motorantriebe

 

Diagramme von IMZA65R072M1H

Graben-Starkstromgerät Silikon-Karbid MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC 0

 

Paket umreißt IMZA65R072M1H

Graben-Starkstromgerät Silikon-Karbid MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC 1

 

FAQ
Q. Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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