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IGBT-Module für die Automobilindustrie A2U12M12W2-F2 3-Level-Topologie 1200-V-SiC-Leistungs-MOSFET-Leistungsmodul

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

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IGBT-Module für die Automobilindustrie A2U12M12W2-F2 3-Level-Topologie 1200-V-SiC-Leistungs-MOSFET-Leistungsmodul

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Großes Bild :  IGBT-Module für die Automobilindustrie A2U12M12W2-F2 3-Level-Topologie 1200-V-SiC-Leistungs-MOSFET-Leistungsmodul

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: A2U12M12W2-F2
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: Modul
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

IGBT-Module für die Automobilindustrie A2U12M12W2-F2 3-Level-Topologie 1200-V-SiC-Leistungs-MOSFET-Leistungsmodul

Beschreibung
Artikelnummer: A2U12M12W2-F2 Paket: Modul
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce: 7 nF bei 800 V Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
Befestigungsart: Fahrgestelle-Berg Aufbau: Dreistufiger Wechselrichter

IGBT-Module für die Automobilindustrie A2U12M12W2-F2 3-Level-Topologie 1200-V-SiC-Leistungs-MOSFET-Leistungsmodul

 

Beschreibung von A2U12M12W2-F2

A2U12M12W2-F2 ist ein Leistungsmodul, das einen Zweig einer T-Typ-3-Level-Wechselrichtertopologie darstellt, die die fortschrittliche Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Technologie integriert.Dieses A2U12M12W2-F2-Modul nutzt die innovativen Eigenschaften des Wide-Bandgap-SiC-Materials und eines Substrats mit hoher thermischer Leistung.Das Ergebnis ist ein außergewöhnlich niedriger On-Widerstand pro Flächeneinheit und eine hervorragende Schaltleistung, die praktisch unabhängig von der Temperatur ist.

 

Produktattribute von A2U12M12W2-F2

IGBT-Siliziumkarbid-Module

Volle Brücke

SiC

1200 V

-10 V bis 22 V

Drücken Sie auf Fit

- 40 C

+ 150 C

 

Alle Funktionen von A2U12M12W2-F2
3-Ebenen-Topologie
ACEPACK 2 Leistungsmodul
13 mΩ typischer RDS(on) bei jedem Schalter
UL-zertifizierte Isolationsspannung von 2,5 kVrms
Integrierter NTC-Temperatursensor
DBC auf Cu-Al2O3-Cu-Basis
Kontaktstifte mit Presspassung

 

Elektrische Topologie und Pin-Beschreibung von A2U12M12W2-F2

IGBT-Module für die Automobilindustrie A2U12M12W2-F2 3-Level-Topologie 1200-V-SiC-Leistungs-MOSFET-Leistungsmodul 0

 

FAQ

F. Sind Ihre Produkte original?

A: Ja, alle Produkte sind original, neuer Originalimport ist unser Ziel.

F: Welche Zertifikate haben Sie?

A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.

F: Können Sie Bestellungen oder Muster in kleinen Mengen unterstützen? Ist das Muster kostenlos?

A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Bestellung oder Projekt.

F: Wie versende ich meine Bestellung?Ist es sicher?

A: Wir verwenden Express zum Versand, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden. Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten, und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.

F: Was ist mit der Vorlaufzeit?

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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