1200-V-SiC-MOSFET-TO263-7-Gehäuse AIMBG120R080M1 für die Automobilindustrie

AIMBG120R080M1 Automotive 1200 V CoolSiC™ Trench-MOSFET im TO263-7-Gehäuse

Beschreibung von AIMBG120R080M1

AIMBG120R080M1 ist ein 1200-V-SiC-Mosfet für die Automobilfamilie, der für aktuelle und zukünftige On-Board-Ladegeräte und DC-DC-Anwendungen in Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt wurde.

Spezifikation vonAIMBG120R080M1

Vorteile von AIMBG120R080M1

• Effizienzverbesserung
• Höhere Frequenz aktivieren
• Erhöhte Leistungsdichte
• Reduzierung des Kühlaufwands
• Reduzierung der Systemkomplexität und -kosten

FAQ
Q. Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind original, neuer Originalimport ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
F: Können Sie Bestellungen oder Muster in kleinen Mengen unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Bestellung oder Projekt.
F: Wie versende ich meine Bestellung?Ist es sicher?
A: Wir verwenden Express zum Versand, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden. Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten, und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn kein Lagerbestand vorhanden ist, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.