Siliziumkarbid-MOSFET-Transistoren TO-263-7-Paket AIMBG120R030M1

Transistoren AIMBG120R030M1 Siliziumkarbid-MOSFET diskretes TO-263-7-Gehäuse

Beschreibung vonAIMBG120R030M1

Der AIMBG120R030M1 ist ein 1200-V-SiC-Mosfet für die Automobilfamilie, der für aktuelle und zukünftige On-Board-Ladegeräte und DC-DC-Anwendungen in Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt wurde.
Einzigartige Merkmale wie die niedrigste Gate-Ladung und Gerätekapazitäten, die bei 1200-V-Schaltern zu beobachten sind, keine Sperrverzögerungsverluste der internen kommutierungssicheren Body-Diode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und schwellenwertfreie Durchlasseigenschaften garantieren ein problemloses Design-in und einfach zu steuerndes Anwendungsdesign.

Spezifikation vonAIMBG120R030M1

Vorteile vonAIMBG120R030M1
Effizienzverbesserung
Höhere Frequenz aktivieren
Erhöhte Leistungsdichte
Reduzierung des Kühlaufwands
Reduzierung der Systemkomplexität und -kosten

Mögliche Anwendungen vonAIMBG120R030M1
Integriertes Ladegerät
DC / DC-Wandler

FAQ
Q. Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind original, neuer Originalimport ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
F: Können Sie Bestellungen oder Muster in kleinen Mengen unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Bestellung oder Projekt.
F: Wie versende ich meine Bestellung?Ist es sicher?
A: Wir verwenden Express zum Versand, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden. Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten, und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn kein Lagerbestand vorhanden ist, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.