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PMDXB600UNE 20-V-Dual-N-Kanal-Trench-MOSFET-Transistoren 6 XFDFN-Gehäuse

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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PMDXB600UNE 20-V-Dual-N-Kanal-Trench-MOSFET-Transistoren 6 XFDFN-Gehäuse

PMDXB600UNE 20-V-Dual-N-Kanal-Trench-MOSFET-Transistoren 6 XFDFN-Gehäuse
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Großes Bild :  PMDXB600UNE 20-V-Dual-N-Kanal-Trench-MOSFET-Transistoren 6 XFDFN-Gehäuse

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: PMDXB600UNE
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: 6-XFDFN stellte Auflage heraus
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

PMDXB600UNE 20-V-Dual-N-Kanal-Trench-MOSFET-Transistoren 6 XFDFN-Gehäuse

Beschreibung
Artikelnummer: PMDXB600UNE Energieverschwendung: 380 mW
Abfallzeit: 51 ns Aufstiegszeit: 9,2 ns
Qg - Tor-Gebühr: PC 400 Anzahl der Kanäle: 2 Kanal
Hervorheben:

PMDXB600UNE MOSFET-Transistoren

,

20-V-MOSFET-Transistoren

,

N-Kanal-MOSFET-Transistoren

PMDXB600UNE 20-V-Dual-N-Kanal-Trench-MOSFET-Transistoren 6-XDFFN-Gehäuse

 

Produktbeschreibung von PMDXB600UNE

PMDXB600UNE ist ein Dual-N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem bleifreien, ultrakleinen DFN1010B-6 (SOT1216)-Kunststoffgehäuse für Oberflächenmontage (SMD) mit Trench-MOSFET-Technologie.

 

Spezifikation von PMDXB600UNE

Produktstatus

Aktiv

FET-Typ

2 N-Kanal (Dual)

FET-Funktion

Logic-Level-Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C

600mA

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

620 mOhm bei 600 mA, 4,5 V

Vgs(th) (Max) @ ID

950 mV bei 250 µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0,7 nC bei 4,5 V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

21,3 pF bei 10 V

Leistung max

265mW

Betriebstemperatur

-55 °C ~ 150 °C (TJ)

Befestigungsart

Oberflächenmontage

Paket / Koffer

6-XFDFN Freiliegendes Pad

Gerätepaket des Lieferanten

DFN1010B-6

 

Merkmale des PMDXB600UNE

  • Trench-MOSFET-Technologie
  • Bleifreies, ultrakleines und ultradünnes SMD-Kunststoffgehäuse: 1,1 × 1,0 × 0,37 mm
  • Freiliegendes Drain-Pad für hervorragende Wärmeleitung
  • Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) > 1 kV HBM
  • Drain-Source-Durchlasswiderstand RDSon = 470 mΩ

 

Anwendungen von PMDXB600UNE

  • Relaisfahrer
  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
  • Low-Side-Lastschalter
  • Schaltkreise

 

Paketübersicht von PMDXB600UNE

PMDXB600UNE 20-V-Dual-N-Kanal-Trench-MOSFET-Transistoren 6 XFDFN-Gehäuse 0

 

FAQ
Q. Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind original, neuer Originalimport ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
F: Können Sie Bestellungen oder Muster in kleinen Mengen unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Bestellung oder Projekt.
F: Wie versende ich meine Bestellung?Ist es sicher?
A: Wir verwenden Express zum Versand, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden. Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten, und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn kein Lagerbestand vorhanden ist, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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