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Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMFS4C028NT1G 30V N-Kanal-MOSFET-Transistoren DFN-5

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMFS4C028NT1G 30V N-Kanal-MOSFET-Transistoren DFN-5

Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMFS4C028NT1G 30V N-Kanal-MOSFET-Transistoren DFN-5
Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMFS4C028NT1G 30V N-Kanal-MOSFET-Transistoren DFN-5 Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMFS4C028NT1G 30V N-Kanal-MOSFET-Transistoren DFN-5

Großes Bild :  Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMFS4C028NT1G 30V N-Kanal-MOSFET-Transistoren DFN-5

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: NTMFS4C028NT1G
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: 5-DFN
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMFS4C028NT1G 30V N-Kanal-MOSFET-Transistoren DFN-5

Beschreibung
Teilnummer: NTMFS4C028NT1G FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid) Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 30 V
Vgs (maximal): ± 20V Typ der Montage: Oberflächenbefestigung

Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMFS4C028NT1G 30V N-Kanal-MOSFET-Transistoren DFN-5

 

Beschreibung des Produkts

NTMFS4C028NT1G sind N-Kanal-MOSFET-Transistoren, Oberflächen-montiert auf einem FR4-Board mit der empfohlenen Mindestgröße.


Spezifikation von NTMFS4C028NT1G

FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss)
30 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16.4A (Ta), 52A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.73mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs
22.2 nC @ 10 V
Vgs (maximal)
± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1252 pF @ 15 V
Leistungsausfall (maximal)
2.51 W (Ta), 25.5 W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der Montage
Oberflächenbefestigung
Lieferanten-Gerätepaket
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Packung / Gehäuse
8-PowerTDFN, 5 Leads

 

Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMFS4C028NT1G 30V N-Kanal-MOSFET-Transistoren DFN-5 0

Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMFS4C028NT1G 30V N-Kanal-MOSFET-Transistoren DFN-5 1

 


Eigenschaften

  • Niedrige RDS (on) zur Minimierung von Leitverlusten
  • Niedrige Kapazität zur Minimierung von Fahrerverlusten
  • Optimierte Torladung zur Minimierung von Schaltverlusten


Anwendungen

  • CPU-Leistungsbereitstellung
  • Gleichspannungsumrichter

 

Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMFS4C028NT1G 30V N-Kanal-MOSFET-Transistoren DFN-5 2

 

Andere vorhandene elektronische Komponenten

Teilnummer Paket
STM32H723VEH6 TFBGA-100
STM32H723VET6 LQFP-100
STM32H723ZET6 LQFP-144
Einheit für die Erfassung von Daten QFN24
Einheitliche Prüfungen QFN24
Einheit für die Erfassung von Daten QFN
EP53F8QI QFN16
Einheit für die Berechnung der Nennwerte QFN24
EP5358HUI QFN-16
EP5358LUI QFN16
EP5348UI VQFN14
LTC2688CUJ-16#PBF QFN-40
IMBF170R450M1 Einheitliche Anweisungen
ImBG65R083M1H TO-263-7
ImBG65R163M1H TO-263-7
Einheit für die Überwachung der Luftfahrt PG-TDSON-8
ISC130N20NM6 PG-TSON-8
IPB339N20NM6 Der Ausdruck "Großbritannien" ist nicht ersetzt.
IPP339N20NM6 Die in Anhang I aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1049/2009 enthalten.
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. PG-TSDSON-8
IPF067N20NM6 Der Begriff "Forschung" wird in Anhang II aufgeführt.
ImzA65R020M2H Der Ausdruck "System" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 zu finden.
ImzA65R040M2H Der Ausdruck "System" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 zu finden.
ImZA75R016M1H Der Ausdruck "System" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 zu finden.
AIMZA75R060M1H Der Ausdruck "System" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 zu finden.
ImZA75R140M1H Der Ausdruck "System" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 zu finden.
AIMZA75R020M1H Der Ausdruck "System" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 zu finden.
AIMZA75R016M1H Der Ausdruck "System" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 zu finden.
AIMZA75R140M1H Der Ausdruck "System" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 zu finden.
AIMZA75R027M1H Der Ausdruck "System" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 zu finden.


Häufig gestellte Fragen
Q. Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Bestellmengen oder Proben unterstützen?Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
F: Wie kann ich meine Bestellung versenden? Ist sie sicher?
A: Wir benutzen Express zum Versand, wie DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A:Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden.Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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