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Siliziumkarbid-Module FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200-V-Halbbrückenmodul

Name: Siliziumkarbid-Module FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200-V-Halbbrückenmodul
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Availability: InStock

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Bescheinigung

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen

Kunden-Berichte

Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

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Siliziumkarbid-Module FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200-V-Halbbrückenmodul

Großes Bild : Siliziumkarbid-Module FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200-V-Halbbrückenmodul

Produktdetails:

Herkunftsort:	KN
Markenname:	Original Factory
Zertifizierung:	Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer:	FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	10
Preis:	Contact for Sample
Verpackung Informationen:	Modul
Lieferzeit:	5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	T/T, L/C, Western Union

Kontakt

Siliziumkarbid-Module FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200-V-Halbbrückenmodul

Beschreibung

Artikelnummer:	FF08MR12W1MA1B11ABPSA1	FET-Typ:	2 N-Kanal (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss):	1200 V (1,2 kV)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C:	150A (Tj)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:	15V	Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	600V
Leistung max:	20mW (TC)	Betriebstemperatur:	-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Hervorheben:	Mosfet-Silikon-Karbid-Module , Silikon-Karbid-Module 1200V , Halbbrücke-Modul 1200V IGBT

Siliziumkarbid-Module FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200-V-Halbbrückenmodul

Überblick über FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 ist ein 8-mΩ-Halbbrückenmodul, das den neuen CoolSiC™Automotive-MOSFET 1200 V, NTC-Temperatursensor und PressFIT-Kontakttechnologie implementiert.Mit der vollständigen Automotive-Qualifikation erweitert sich das Einsatzgebiet von CoolSIC™ nun auf Hochvolt-Automobilanwendungen mit hohen Anforderungen an Wirkungsgrad und Schaltfrequenz, wie HV/HV-DC-DC-Aufwärtswandler, mehrphasige Wechselrichter und schnell schaltende Hilfsantriebe wie Brennstoffzellen-Kompressoren.

Produktattribute von FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Artikelnummer	FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Produktstatus	Aktiv
FET-Typ	2 N-Kanal (Dual)
FET-Funktion	Siliziumkarbid (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V (1,2 kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	150A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	9,8 mOhm bei 150 A, 15 V
Vgs(th) (Max) @ ID	5,55 V bei 90 mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	600V
Leistung max	20mW (TC)
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Befestigungsart	Chassishalterung
Paket / Koffer	Modul
Gerätepaket des Lieferanten	AG-EASY1BM-2

Eigenschaften von FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Hohe Gate-Schwellenspannung verhindert parasitäres Einschalten Vth = 4,4 V
IGBT-kompatible Betriebsspannung VGS=-5V / +15V
Intrinsische Diode mit geringer Sperrverzögerung
Niedrige Streuinduktivität 5 nH
Sperrspannung 1200V
Niedrige Schaltverluste
Niedriges Qg und Crss
Tvjop = 150°C

Mögliche Anwendungen von FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Automotive-Anwendungen
Hybrid- und batterieelektrische Fahrzeuge
Nutz-, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge
HV/HV-DC-DC-Wandler
Hauptwechselrichter
Hilfsantriebe

Paketumrisse von FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Siliziumkarbid-Module FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200-V-Halbbrückenmodul 0

FAQ

F. Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind original, neuer Originalimport ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
F: Können Sie Bestellungen oder Muster in kleinen Mengen unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Bestellung oder Projekt.
F: Wie versende ich meine Bestellung?Ist es sicher?
A: Wir verwenden Express zum Versand, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden. Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten, und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn kein Lagerbestand vorhanden ist, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 5.55V @ 240mA

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Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 200A

Typ der Montage: Aufbau des Fahrgestells

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Teilnummer: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 750 V

Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 200 A

Leistung - Max.: 20 mW

Siliziumkarbid-Module FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200-V-Halbbrückenmodul

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