LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 integrierte Halbbrücke Gan Driver

Tor-Fahrer LMG3425R030RQZR GaN FET mit integriertem Fahrer und idealem Diodenmodus VQFN54

Beschreibung

LMG342xR030 GaN FET mit integriertem Fahrer und Schutz ermöglicht Designern, neue Niveaus der Energiedichte und der Leistungsfähigkeit in den Leistungselektroniksystemen zu erzielen. Das LMG342xR030 integriert einen Silikonfahrer, der dem Schalten beschleunigen zu 150 V/ns ermöglicht. Präzisionstor-Neigungsergebnisse des TI integrierte in der höheren Schaltung SOA verglichen mit getrennten Silikontorfahrern. Diese Integration, kombiniert mit dem induktionsarmen Paket des TI, liefert saubere Schaltung und das minimale Klingeln in den Hartschaltungsstromversorgungstopologien. Justierbare Tor-Antriebsstärke erlaubt Steuerung der Anstiegsgeschwindigkeit von 20 V/ns zu 150 V/ns, die verwendet werden können, um EMS aktiv zu steuern und Schaltungsleistung zu optimieren. Das LMG3425R030 schließt idealen Diodenmodus ein, der Drittquadrantverluste verringert, indem es adaptiver tot-maler Kontrolle ermöglicht.

Spezifikationen

Anwendungen

• Wirtschaftsmachtspg.versorgungsteile mit hoher Dichte
• Solarinverter und industrielle Motorantriebe
• Ununterbrochene Stromversorgung
• Handelsnetz und Server P.S.
• Handelstelekommunikationsgleichrichter

Eigenschaften

Stromkreisschutz mit < 100-ns="" response="">

–

Anstiegs-Weilehartschaltung der Widerstände 720-V

–

Selbstschutz von der internen Übertemperatur

und UVLO-Überwachung

•

Modernes Energiemanagement

–

Digital-Temperatur PWM gab aus

–

Idealer Diodenmodus verringert Drittquadrantverluste

in

LMG3425R030

• Qualifiziert für JEDEC JEP180 für Hartschaltungstopologien
• GaN-auf-Si 600-V FET mit integriertem Torfahrer
• Integrierte Tor-Vorspannung der hohen Präzision
• 200-V/ns CMTI
• Schaltfrequenz 2.2-MHz
• 30-V/ns zu 150-V/ns Anstiegsgeschwindigkeit für Optimierung des Schaltens von Leistung und VON EMS-Abschwächung
• Funktioniert von 7.5-V zu Versorgung 18-V
• Robuster Schutz
• Zyklus-durch-Zyklusüberstrom und verriegelte Kurzschlusssicherung mit < 100-ns="" response="">
• Anstiegs-Weilehartschaltung der Widerstände 720-V
• Selbstschutz von der internen Übertemperatur und VON UVLO-Überwachung
• Modernes Energiemanagement
• Digital-Temperatur PWM gab aus
• Idealer Diodenmodus verringert Drittquadrantverluste in LMG3425R030

 

Maß, zum von Laufzeitverzögerungen und von Anstiegsgeschwindigkeiten zu bestimmen

 

 

 

Qualifiziert für JEDEC JEP180 für Hartschaltung

Topologien

•

600

- V-GaN-auf-Si FET mit integriertem Torfahrer

–

Integrierte Tor-Vorspannung der hohen Präzision

–

200-V/ns CMTI

–

2,2

- MHZ-Schaltfrequenz

–

30-V/ns zu 150-V/ns Anstiegsgeschwindigkeit für Optimierung

von zugeschalteter Leistung und VON EMS-Abschwächung

–

Funktioniert von 7.5-V zu Versorgung 18-V

•

Robuster Schutz

–

Zyklus-durch-Zyklusüberstrom und verriegeltes kurz-

Stromkreisschutz mit < 100-ns="" response="">

–

Anstiegs-Weilehartschaltung der Widerstände 720-V

–

Selbstschutz von der internen Übertemperatur

und UVLO-Überwachung

•

Modernes Energiemanagement

–

Digital-Temperatur PWM gab aus

–

Idealer Diodenmodus verringert Drittquadrantverluste

in

LMG3425R030

Qualifiziert für JEDEC JEP180 für Hartschaltung

Topologien

•

600

- V-GaN-auf-Si FET mit integriertem Torfahrer

–

Integrierte Tor-Vorspannung der hohen Präzision

–

200-V/ns CMTI

–

2,2

- MHZ-Schaltfrequenz

–

30-V/ns zu 150-V/ns Anstiegsgeschwindigkeit für Optimierung

von zugeschalteter Leistung und VON EMS-Abschwächung

–

Funktioniert von 7.5-V zu Versorgung 18-V

•

Robuster Schutz

–

Zyklus-durch-Zyklusüberstrom und verriegeltes kurz-

Stromkreisschutz mit < 100-ns="" response="">

–

Anstiegs-Weilehartschaltung der Widerstände 720-V

–

Selbstschutz von der internen Übertemperatur

und UVLO-Überwachung

•

Modernes Energiemanagement

–

Digital-Temperatur PWM gab aus

–

Idealer Diodenmodus verringert Drittquadrantverluste

in

LMG3425R030

 

FAQ
Q. Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Größe und Tag:

VQFN54 integrierte Halbbrücke Gan Driver,

LMG3422R030RQZR GaN FET,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Kontaktdaten

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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Verhältnis - Eingang:Ausgang: 1:1

Schnittstelle: Logik, PWM

Spannung - Versorgung (Vcc/Vdd): 9.5V | 18V

Gegenwärtig - Ertrag (maximal): 12A

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Ausgabekonfiguration: Hohe Seite

Ausgabeart: P-Kanal

Spannung - Last: 480V (maximal)

Spannung - Versorgung (Vcc/Vdd): 9.5V | 18V

Integrierter LMG3422R030RQZR GaN FET 600V lokalisierte GaN Gate Drivers

Ausgangsstrom: 1,2 A

Versorgungsspannung - Min: 7.5 V

Versorgungsspannung - Max: 18 V

Anstiegszeit: 4 ns

Netzverteilungs-Schalter ICs N LMG3411R150RWHR Gan Driver IC 6A VQFN32 Kanal

Spannung – Last: 480V (maximal)

Spannung - Versorgung (Vcc/Vdd): 9.5V | 18V

Gegenwärtig - Ertrag (maximal): 6A

RDS auf (Art): 150mOhm