Integrierter LMG3422R030RQZR GaN FET 600V lokalisierte GaN Gate Drivers

GaN IC LMG3422R030RQZR 600V 30mΩ GaN FET mit integriertem Treiber isolierte Tortreiber

Beschreibung

LMG3422R030RQZR GaN FET mit integriertem Treiber und Schutz ermöglicht es den Konstrukteuren, neue Leistungsdichte und Effizienz in Leistungselektroniksystemen zu erreichen.

Der LMG3422R030RQZR integriert einen Silizium-Treiber, der eine Schaltgeschwindigkeit von bis zu 150 V/ns ermöglicht.Diese Integration, kombiniert mit einem Low-Inductance-Paket, bietet eine saubere Schaltung und minimales Klingeln in Hard-Switching-Stromversorgungstopologien.Die verstellbare Torantriebstärke ermöglicht die Steuerung der Schleudrate von 20 V/s bis 150 V/sDer LMG3425R030 verfügt über einen idealen Diodenmodus, der die Verluste des dritten Quadranten reduziert, indem eine adaptive Stillzeitsteuerung ermöglicht wird.

Spezifikationen

Eigenschaften

• Qualifiziert für JEDEC JEP180 für Hard-Switching-Topologien
• 600-Volt-GaN-on-Si-FET mit integriertem Tortreiber
• Integrierte Hochpräzisions-Gatter-B bias Spannung
• 200-V/ns CMTI
• 2Schaltfrequenz von 0,2 MHz
• 30-V/s bis 150-V/s Schaltfrequenz zur Optimierung der Schaltleistung und EMI-Minderung
• mit einer Leistung von mehr als 50 W
• Zyklus-für-Zyklus-Schutz gegen Überstrom und geschlossene Kurzschlüsse mit < 100-ns-Antwort
• Bei Festschaltvorgängen mit 720-Volt-Spannung standhält
• Selbstschutz vor interner Übertemperatur und UVLO-Überwachung
• Digitale Temperatur-PWM-Ausgabe
• Idealer Diodenmodus reduziert Verluste im dritten Quadranten in LMG3425R030

Anwendungen

• Industrielle Stromversorgungen mit hoher Dichte
• Solarumrichter und industrielle Antriebe
• Ununterbrochene Stromversorgungen
• Dienstleistungsanbieter für Händlernetzwerke und Server

Pin-Konfiguration und Funktionen

Sonstige Lieferprodukttypen

Häufig gestellte Fragen
Q. Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
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A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
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