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IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm graben sic MOSFET TO247

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm graben sic MOSFET TO247

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm graben sic MOSFET TO247
IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm SiC Trench MOSFET TO247
IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm graben sic MOSFET TO247 IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm graben sic MOSFET TO247

Großes Bild :  IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm graben sic MOSFET TO247

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IMZA120R014M1HXKSA1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: Ursprüngliche Fabrik
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm graben sic MOSFET TO247

Beschreibung
Fet-Art: N-Kanal Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 1200 V
Vgs (maximal): +20V, -5V Verlustleistung (maximal): 455W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C | 175°C (TJ) Befestigung der Art: Durch Loch
Paket/Fall: TO-247-4 Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Hervorheben:

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC

,

GaN IC 1200V

,

Mohm Gan Fet Transistors 14

Transistoren IMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ graben sic Paket MOSFET TO247

 

Beschreibung

Das CoolSiC™ 1200 V, 14 mΩ sic MOSFET in der Gestalt des Pakets TO247-4 auf einem hochmodernen Grabenhalbleiterprozeß optimiert, um Leistung mit Zuverlässigkeit zu kombinieren. Im Vergleich zu traditionellen basierten Schaltern des Silikons (Si) wie IGBTs und MOSFETs, bietet der sic MOSFET eine Reihe Vorteile an. Diese schließen, die niedrigste Torgebühr und gesehenen im Jahre 1200 die Schalter V der Gerätkapazitanz Niveaus, keine Rückwiederaufnahmeverluste der internen Umwandlungsbeweis-Körperdiode, unabhängige niedrige zugeschaltete Verluste der Temperatur und Schwelle-freier Ein-Zustand char4acteristic ein. CoolSiC™-MOSFETs sind für die hart- und Resonanz-schaltungstopologien wie Stromkreise der Machtfaktorkorrektur (PFC), die bidirektionalen Topologien und DC-DC Konverter oder DC-AC Inverter ideal.

 

Zusammenfassung von Eigenschaften

  • Bestes in den Klassenschaltungs- und -leitungsverlusten
  • Hohe Schwellenspannung des Festpunktes, Vth > 4 V
  • Torspannung der Drehung-weg 0V für einfachen und einfachen Tor-Antrieb
  • Breiter Torquellspannungsbereich
  • Robuste und dämpfungsärme Körperdiode veranschlagt für harte Umwandlung
  • Zugeschaltete Verluste der unabhängigen Drehung-weg der Temperatur
  • .XT-Verbindungstechnologie für beste in klasse thermische Leistung

 

Fet-Art: N-Kanal Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 1200 V
Vgs (maximal): +20V, -5V Verlustleistung (maximal): 455W (Tc)
Paket/Fall: TO-247-4 Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V

 

Nutzen

  • Höchste Leistungsfähigkeit
  • Verringerte abkühlende Bemühung
  • Höhere Frequenzoperation
  • Erhöhte Energiedichte
  • Verringerte Systemkomplexität

 

Anwendungen

  • Batteriebildung
  • Schnelle EV Aufladung
  • Motorsteuerung und Antriebe
  • Lösungen für photo-voltaische Energiesysteme
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)

 

Diagramme

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm graben sic MOSFET TO247 0

 

FAQ

Q. Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Größe und Tag:

VQFN54 integrierte Halbbrücke Gan Driver,

LMG3422R030RQZR GaN FET,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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