Mingjiada Electronics bietet den C3M0120065L ab Lager an. Dieser 650V-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET von Wolfspeed verwendet ein fortschrittliches TOLL-Gehäuse, verfügt über eine Zertifizierung für industrielle Anwendungen und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -40°C bis +175°C.
Als Paradebeispiel für Wolfspeeds SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation erzielt der C3M0120065L eine signifikante Optimierung der Verlustleistung, des Schaltverhaltens und der Leistungsdichte.
C3M0120065L Kernmerkmale
Der C3M0120065L erreicht einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand innerhalb der 650V-Spannungsplattform, mit einem typischen Wert von nur 12 mΩ (bei V_GS=18V, I_D=20A), der Dauerströme bis zu 118A (bei 25°C, T_C=100°C) unterstützt.
Niedriger Einschaltwiderstand: 157 mΩ (maximal) bei 6,76 A, 15 V
Hohe Durchbruchspannung: 650 V
Schnelles Schaltverhalten: Gate-Ladung (Qg) nur 26 nC bei 15 V
Hochtemperaturfähigkeit: Sperrschichttemperaturbereich -40°C bis +175°C
Industrietaugliche Ansteuerspannung: +15V/-5V (empfohlen), maximal ±19V/-8V
Der C3M0120065L TOLL-Gehäuse (TO-263-7) bietet nicht nur einen niedrigen thermischen Widerstand und eine geringe Leitungsinduktivität, sondern beinhaltet auch ein Kelvin-Source-Anschlussdesign, wodurch die Schaltverluste deutlich reduziert und das Gate-Ringing unterdrückt werden.
C3M0120065L Technische Vorteile
Entwickelt auf Wolfspeeds SiC-MOSFET-Technologieplattform der dritten Generation, bietet der C3M0120065L eine außergewöhnliche Gesamtsystemeffizienz und die Fähigkeit zum Hochfrequenzbetrieb.
Seine robuste Body-Diode zeichnet sich durch eine extrem geringe Rückwärts-Erholungs-Ladung (typisch 66 nC) aus, wodurch die Schaltverluste erheblich reduziert und die Systemzuverlässigkeit erhöht werden.
Im Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs auf Siliziumbasis weist der C3M0120065L über den gesamten Temperaturbereich stabilere Einschaltwiderstandseigenschaften und eine geringe parasitäre Kapazität auf, was Designs mit hoher Leistungsdichte erleichtert.
C3M0120065L Produktattribute
Hersteller: Wolfspeed
Produkttyp: Siliziumkarbid-MOSFET
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse / Gehäuse: TOLL
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 650 V
Id - Dauer-Drain-Strom: 21 A
Rds On - Drain-On-Widerstand: 157 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -8 V, +19 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 3,6 V
Qg - Gate-Ladung: 26 nC
Minimale Betriebstemperatur: -40°C
Maximale Betriebstemperatur: +175°C
Pd - Verlustleistung: 86 W
Kanalmodus: Enhancement
Anwendungsbereiche
Der C3M0120065L ist ideal für folgende Anwendungen geeignet:
Server- und Telekommunikations-Netzteile
Ladesysteme für Elektrofahrzeuge (On-Board-Ladegeräte (OBC), Hochspannungs-DC-DC-Wandler)
Energiespeichersysteme (USV, Batteriemanagementsysteme)
Solarwechselrichter
Industrie-Netzteile
Beschaffungsinformationen
Mingjiada Electronics garantiert, dass der C3M0120065L fabrikneu und original ist, mit ausreichend Lagerbestand für den Versand am selben Tag.
Der C3M0120065L wird in Band-und-Rolle (TR) und zugeschnittenen (CT) Formaten verpackt, mit flexiblen Mindestbestellmengen und verfügbaren Mustern.
Kontakt
Für die Beschaffung des C3M0120065L oder detaillierte Produktdokumentation wenden Sie sich bitte an die Mingjiada Electronics Power Devices Division:
Kontakt: Herr Chen
Tel.: +86 13410018555
E-Mail: sales@hkmjd.com
Website: www.integrated-ic.com
Firmenadresse: Räume 1239-1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Bezirk Futian, Shenzhen
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