Firmenblog über Wolfspeed Einzelner Siliziumkarbid-MOSFET C3M0075120K 1200 V / 75 mΩ, N-Kanal-Anreicherungsmodus

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Original Fabrik-Lagerbestand an Wolfspeed diskreten Siliziumkarbid (SiC) MOSFETsC3M0075120K 1200 V / 75 mΩ, N-Kanal-Enhancement-Mode

C3M0075120K Produktübersicht
Der C3M0075120K ist ein 1200 V, 75 mΩ N-Kanal-Enhancement-Mode-Siliziumkarbid (SiC) Leistungs-MOSFET, der von Wolfspeed entwickelt wurde. Er verwendet die SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation mit einem optimierten Gehäusedesign, das einen unabhängigen Ansteuersource-Pin aufweist. Dieses Design ermöglicht es dem C3M0075120K, in Hochspannungsanwendungen außergewöhnlich gut zu arbeiten und gleichzeitig einen niedrigen Einschaltwiderstand, Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung und geringe Kapazität zu bieten.

C3M0075120K Merkmale
Hohe Sperrspannung und niedriger Einschaltwiderstand: Der C3M0075120K hat eine Drain-Source-Spannung von 1200 V und einen Einschaltwiderstand von nur 75 mΩ, wodurch er in der Lage ist, eine hohe Effizienz in Hochspannungsanwendungen aufrechtzuerhalten.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung: Der C3M0075120K verfügt über eine Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit, und seine geringen Kapazitätseigenschaften ermöglichen es ihm, in Hochfrequenzanwendungen außergewöhnlich gut zu arbeiten.
Schnelle Body-Diode: Seine schnelle Body-Diode hat eine geringe Rückwärts-Erholungs-Ladung (Qrr), wodurch Schaltverluste reduziert werden.
Hohe Zuverlässigkeit: Der C3M0075120K entspricht den RoHS-Standards, ist halogenfrei und für hohe Zuverlässigkeit und Haltbarkeit ausgelegt.
Gehäusevorteile: Der C3M0075120K verwendet ein TO-247-4-Gehäuse mit einem Kriechweg von 8 mm zwischen Drain und Source. Dieses Gehäusedesign erhöht die elektrische Sicherheit und die thermische Leistung des Produkts.

C3M0075120K Spezifikationen
Drain-Source-Spannung (VDS): 1200 V (Tc=25°C)
Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): -8 V bis +19 V (transient)
Betriebs-Gate-Source-Spannung (VGS): -4 V/15 V (statisch)
DC-Dauer-Drain-Strom (ID): 31 A (VGS=15 V, Tc=25°C, Tj≤150°C)
Puls-Drain-Strom (IDM): 123 A (VGS=15 V, Tc=25°C)
Verlustleistung (PD): 114 W (Tc=25°C, Tj=150°C)
Betriebs-Sperrschichttemperatur und Lagertemperatur (Tj/Tstg): -55°C bis +150°C
Löttemperatur (Tj): 260°C (konform mit JEDEC J-STD-020)
Installationsdrehmoment (M5): 1,8 bis 2,5 N-m (mit M3- oder 6-32-Schrauben)
Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)): 75 mΩ bis 90 mΩ (VGS = 15 V, ID = 20 A, Tj = 25°C/150°C)
Gate-Schwellenspannung (VGS(th)): 1,8 V bis 3,6 V (VS = VDS = 100 V, T = 25°C/150°C)

Anwendungen
C3M0075120K ist für verschiedene Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen geeignet, einschließlich, aber nicht beschränkt auf die folgenden Bereiche:
Erneuerbare Energien: wie Solarinverter und Energiespeichersysteme, die den Wirkungsgrad der Systemumwandlung und die Leistungsdichte verbessern können.
Batterieladegeräte für Elektrofahrzeuge: in Onboard-Ladegeräten und Schnellladesystemen, seine schnelle Schaltleistung trägt dazu bei, effizientes Laden zu erreichen.
Hochspannungs-DC/DC-Wandler: In Hochspannungs-DC-Wandleranwendungen kann der C3M0075120K Schaltverluste reduzieren und den Wirkungsgrad verbessern.
Schaltnetzteile: Geeignet für verschiedene Schaltnetzteile, wodurch der Wirkungsgrad und die Leistungsdichte des Netzteils verbessert werden.
Industrielles Heizen und Kühlen: In industriellen Heiz- und Kühlsystemen verbessert der C3M0075120K die Systemeffizienz und -zuverlässigkeit.
Motorsteuerung und -antrieb: In Motorantriebssystemen verbessert er die dynamische Leistung und Effizienz des Systems.
Schweißen und Induktionserwärmung: In Schweiß- und Induktionserwärmungsanwendungen bietet der C3M0075120K eine hohe Leistung.
Hilfsstromversorgung: In Hilfsstromversorgungsanwendungen wie Rechenzentrumskühlsystemen reduziert der C3M0075120K die Systemverluste erheblich.

Mit seiner hervorragenden Leistung und breiten Anwendbarkeit ist der C3M0075120K zu einer idealen Wahl für zahlreiche Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen geworden.

Wie man kauft?
Telefon: +86 13410018555 (Herr Chen)
E-Mail: sales@hkmjd.com
Website: www.integrated-ic.com
Adresse: Raum 1239-1241, Xinyazhou Guoli Building, Zhenzhong Road, Bezirk Futian, Stadt Shenzhen

Mingjiada Electronics, als professioneller Distributor für elektronische Bauelemente, gewährleistet die Echtheit des C3M0075120K, unterstützt sowohl Kleinserienmuster als auch Großserienbestellungen und freut sich auf Anfragen!