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Firmenblog über Vishay SIZF918DT-T1-GE3 Dual N-Kanal 30V MOSFET mit Schottky-Barrierediode - Auf Lager

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

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Vishay SIZF918DT-T1-GE3 Dual N-Kanal 30V MOSFET mit Schottky-Barrierediode - Auf Lager
Neueste Unternehmensnachrichten über Vishay SIZF918DT-T1-GE3 Dual N-Kanal 30V MOSFET mit Schottky-Barrierediode - Auf Lager

Im Bereich elektronischer Bauelemente ist ein hochleistungsfähiges, hochzuverlässiges MOSFET-Produkt für den stabilen Betrieb verschiedener elektronischer Geräte von entscheidender Bedeutung. Heute freut sich Mingjiada Electronics, unsere originalgetreue, vorrätige Lieferung des Vishay SIZF918DT-T1-GE3 sicherzustellen.

 

SIZF918DT-T1-GE3 Produktübersicht
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. bietet den hochleistungsfähigen Dual-N-Kanal-MOSFET Vishay SIZF918DT-T1-GE3 ab Lager an. Dieses Produkt verwendet die fortschrittliche TrenchFET®-Technologie, die zwei N-Kanal-MOSFETs und Schottky-Dioden integriert und eine Drain-Source-Spannung von 30 V und eine Drain-Strom-Fähigkeit von 40/60 A aufweist. Der SIZF918DT-T1-GE3 verwendet ein kompaktes 8-PowerPair®-Gehäuse (6x5), das für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot geeignet ist.

 

Dieser SIZF918DT-T1-GE3 MOSFET weist extrem niedrige Einschaltwiderstände von 6,8 mΩ und 2,7 mΩ auf, wodurch Schalt- und Leitungsverluste erheblich reduziert werden. Mit einer Gate-Ladung von 22/56 nC unterstützt der SIZF918DT-T1-GE3 hohe Schaltfrequenzen und ist somit eine ideale Wahl für ein effizientes Energiemanagement. Der SIZF918DT-T1-GE3 arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C und eignet sich für industrielle Anwendungen.

 

SIZF918DT-T1-GE3 Produktmerkmale
Der SIZF918DT-T1-GE3 verwendet ein Logikpegel-Gate-Design, das eine direkte Schnittstelle mit Mikrocontrollern und digitalen Signalprozessoren ermöglicht. Jeder SIZF918DT-T1-GE3 enthält zwei unabhängige N-Kanal-MOSFETs, die in einer Halbbrücken-Topologie konfiguriert sind, wodurch er sich hervorragend für synchrones Gleichrichten und Motorantriebsanwendungen eignet.

Dieses SIZF918DT-T1-GE3-Gerät integriert auch eine Schottky-Barrierediode, die hervorragende Rückwärtswiederherstellungseigenschaften bietet, die dazu beitragen, Spannungsspitzen und elektromagnetische Störungen in Schaltnetzteilen zu mindern. Mit einer Gesamtverlustleistung von 26,6/50 W gleicht der SIZF918DT-T1-GE3 Leistung mit thermischen Managementanforderungen aus. Der SIZF918DT-T1-GE3 verwendet die Oberflächenmontagetechnologie, wodurch er sich für die automatisierte Leiterplattenbestückung eignet.

 

Anwendungsbereiche
Der
SIZF918DT-T1-GE3 findet in verschiedenen Bereichen breite Anwendung:
Energiemanagementsysteme: Einschließlich DC-DC-Wandler, Schaltnetzteile und Spannungsregelmodule
Automobilelektronik: wie Motorantriebe, Lichtsteuerung und 12-V-Stromverteilungssysteme
Industrielle Automatisierung: Relais-Treiber, Motorsteuerung und Leistungsschalter
Unterhaltungselektronik: Energiemanagement für Smartphones, Tablets und tragbare Geräte

 

Der SIZF918DT-T1-GE3 eignet sich besonders für Anwendungen, die eine hocheffiziente Energieumwandlung erfordern, bei denen sein geringer Einschaltwiderstand und seine schnellen Schalteigenschaften die Gesamtenergieeffizienz des Systems erheblich verbessern.

 

Qualitätssicherung und Verfügbarkeit
Mingjiada Electronics garantiert, dass jeder gelieferte SIZF918DT-T1-GE3 ein authentisches, echtes Produkt ist. Wir setzen strenge Qualitätskontrollverfahren um und bieten eine 100%ige Qualitätssicherung für den
SIZF918DT-T1-GE3 sicherzustellen.

 

Derzeit ist der SIZF918DT-T1-GE3 in ausreichender Menge vorrätig und sofort lieferbar. Wir unterstützen sowohl Kleinserien- als auch Großserienbeschaffungen und bieten unseren Kunden flexible Versorgungslösungen. Für Kunden mit dringenden Anforderungen qualifiziert sich der SIZF918DT-T1-GE3 für unseren beschleunigten Lieferservice.

 

Warum Mingjiada Electronics wählen?
Als erfahrener Lieferant elektronischer Bauelemente verfügt Mingjiada Electronics über umfassende Branchenkenntnisse und robuste Lieferkettenressourcen. Wir sind darauf spezialisiert, Komplettlösungen für die Beschaffung elektronischer Bauelemente anzubieten und so die stabile Versorgung des
SIZF918DT-T1-GE3 sicherzustellen.

 

Für weitere Informationen zum SIZF918DT-T1-GE3 oder um Muster anzufordern, wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam. Mingjiada Electronics ist Ihr zuverlässiger Lieferpartner für den SIZF918DT-T1-GE3.

 

Sie können Mingjiada Electronics über die folgenden Kanäle kontaktieren, um die neuesten Angebote und detaillierten Spezifikationen zu erhalten:
Ansprechpartner: Herr Chen
Telefon: +86 13410018555
E-Mail: sales@hkmjd.com
Website:
www.integrated-ic.com
Firmenadresse: Räume 1239-1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Bezirk Futian, Stadt Shenzhen, Provinz Guangdong

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Ansprechpartner: Mr. Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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