Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. hält einen langfristigen, großen Lagerbestand an Vishay SIR680 N-Kanal 80V (D-S) MOSFETs der Serie, einschließlich des Modells SIR680ADP. Mit der Garantie von Originalprodukten, einem umfangreichen Lagerbestand und äußerst wettbewerbsfähigen Preisen bieten wir Kunden weltweit effiziente und zuverlässige Stromversorgungsdienste.
I. SIR680 Produktübersicht
Die Vishay SIR680 Serie ist eine neue Generation von N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die die TrenchFET® Gen IV-Technologie nutzen und eine Drain-Source-Spannung (Vds) von 80V sowie eine kontinuierliche Drainstromkapazität von bis zu 100A–130A aufweisen. Diese Bauteile sind in PowerPAK® SO-8-Oberflächenmontagegehäusen untergebracht und bieten branchenführende Leistungsdichte und thermische Leistung in einem kompakten 6,15 mm × 5,15 mm Footprint.
SIR680ADP.png
Die SIR680-Serie wurde speziell für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte entwickelt und bietet eine hervorragende Kombination aus extrem niedrigem Einschaltwiderstand (RDS(on)) und extrem geringer Gate-Ladung (Qg), was erhebliche Verbesserungen der Wirkungsgrad der Stromwandlung und eine Reduzierung des Stromverbrauchs des Systems ermöglicht.
II. Hauptmerkmale und technische Vorteile
1. Extrem niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on))
Die MOSFETs der SIR680 Serie zeichnen sich durch einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand aus, der die Leitungslasten effektiv reduziert:
SIR680ADP: 2,35 mΩ (typisch) bei 10 V 125 A
2. Branchenführende Gütezahl (FOM)
Der SIR680ADP erreicht eine Gütezahl (FOM) für das Produkt aus Einschaltwiderstand und Gate-Ladung (RDS × Qg) von 129 mΩ·nC, was der beste seiner Klasse unter den 80V-MOSFET-Produkten ist und 13 Prozent höher als der nächstbeste Wettbewerber. Diese wichtige Kennzahl bestimmt direkt die Schaltleistung in Stromwandlungsanwendungen—je niedriger der FOM-Wert, desto geringer die Schaltverluste.
3. TrenchFET® Gen IV-Technologie
Als Flaggschiffprodukt der vierten Generation der TrenchFET-Technologie wurde die SIR680-Serie in folgenden Bereichen umfassend optimiert:
Extrem niedrige RDS-Qg-Güte
Speziell für die niedrigste RDS-Qoss-Güte abgestimmt
100%ige Prüfung auf Rg und UIS (unclamped inductor switching) zur Gewährleistung der Zuverlässigkeit des Bauteils
4. Hervorragende thermische Leistung
Maximale Verlustleistung (Pd): 104 W
Betriebstemperaturbereich: –55 °C bis +150 °C
Das PowerPAK® SO-8-Gehäuse bietet einen ausgezeichneten thermischen Pfad
5. Geringe Gate-Ladung, unterstützt Hochfrequenzschaltung
Typische Gate-Ladung Qg: 40,5 nC bis 69,5 nC (modellabhängig)
Geringe Eingangskapazität (Ciss), unterstützt höhere Schaltfrequenzen
III. Typische Anwendungsbereiche
Die Vishay SIR680 Serie von MOSFETs wird häufig in verschiedenen Mittel- und Niederspannungs-Stromwandlungsanwendungen mit hoher Leistungsdichte eingesetzt:
Stromwandlung
Synchrone Gleichrichtung
Primärseitige Schaltung
DC/DC-Wandler (Buck-, Boost- und Buck-Boost-Topologien)
AC/DC-Stromwandlung
Resonanzschaltwandler
Server und Telekommunikationsgeräte
Server-Netzteile (PSUs)
48V-Bus-Stromversorgungssysteme für Rechenzentren
Stromversorgungen für Telekommunikationsinfrastrukturen
OR-ing-Funktionsschaltungen
Industrie und Motorsteuerung
Industrielle Motorantriebe und Servosteuerungssysteme
Frequenzumrichter
Motorantriebe für Elektrowerkzeuge
Neue Energie und Energiespeicherung
Solare Mikro-Wechselrichter
Batteriewechsel in Batteriemanagementsystemen (BMS)
Lastschalter
Schlussfolgerung
Die Vishay SIR680 Serie von N-Kanal 80V MOSFETs mit der herausragenden Leistung der TrenchFET Gen IV-Technologie—extrem niedriger Einschaltwiderstand, branchenführende FOM-Werte und Stromfähigkeiten von bis zu 130A—ist zur idealen Wahl für Schaltgeräte in Anwendungen mit hoher Leistungsdichte wie Servernetzteile, DC/DC-Wandlung und Motorantriebe geworden.
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. unterhält einen großen Lagerbestand an Vishay SIR680 Serie MOSFETs (SIR680ADP) und freut sich über Anfragen von neuen und bestehenden Kunden bezüglich Angeboten und Musterkäufen.
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