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Graben-Feld-Halt 650V 60A 23 W der Transistor-FGHL40T65MQDT IGBT durch Loch TO-247-3
Produkt-Beschreibung
Mittlere Technologie der Geschwindigkeit IGBT der FGHL40T65MQDT-Feldend4. Generation copacked mit voller Nennstromdiode.
Eigenschaften
Maximale Grenzschichttemperatur: TJ = 175°C
Positive Temperatur Co−efficient für einfachen parallelen Betrieb
Hohe gegenwärtige Fähigkeit
Niedrige Sättigungs-Spannung: VCE (SAT) = 1,45 V (Art.) @ IC = 40 A
100% der Teile werden auf ILM geprüft (Anmerkung 2)
Glatte und optimierte Schaltung
Feste Parameter-Verteilung
RoHS konform
Anwendungen
Solarinverter
UPS, ESS
PFC, Konverter
FAQ
Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.