Firmenblog über (TO-247-3) IGBT-Transistor IGW30N60H3 600V Hochgeschwindigkeitsschalterreihe 3. Generation

Shenzhen Mingjiada Elektronikversorgung IGBT TransistorIGW30N60H3600V Hochgeschwindigkeitsschalterreihe Dritte Generation 600V HI SPEED SW IGBT

IGW30N60H3Beschreibung des Produkts

Der Hochgeschwindigkeits- 600 V, 30 A-Einkanal-TRENCHSTOPTM IGBT3 im TO247-Paket bietet den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitverlusten.Das Hauptmerkmal dieser Serie ist das MOSFET-ähnliche Schaltverhalten, was zu geringen Verlusten bei der Abwicklung führt.

IGW30N60H3Produktattribute

• Hersteller: Infineon
• Produktkategorie: Isolierte Gate-Bipolartransistoren (IGBT)
• Technologie: Si
• Paket / Fall: TO-247-3
• Montage: Durch ein Loch
• Konfiguration: Einfach
• Höchstspannung zwischen Kollektor und Emitter VCEO: 600 V
• Sättigungsspannung des Kollektors-Emitters: 1,95 V
• Höchstspannung des Tores/Emittors: - 20 V, 20 V
• Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C: 60 A
• Pd-Leistungsausfall: 187 W
• Mindestbetriebstemperatur: - 40 °C
• Höchstbetriebstemperatur: + 175 °C
• Serie: HighSpeed 3
• Durchlässigkeit des Tor-Emitters: 100 nA

IGW30N60H3Produktanwendungen

• Ununterbrochene Stromversorgungen
• Schweißumwandler
• Umwandler mit Hochfrequenzschalter

URL der Firma:Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:

Häufig gestellte Fragen

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A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
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