Versorgungstransistoren BUK4D122-20PX P-Kanal-Trench-MOSFET-Transistoren im 20-V-DFN-Gehäuse
Produktbeschreibung vonBUK4D122-20PX
BUK4D122-20PX ist ein P-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET) in einem unbedrahteten DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mittlerer Leistung mit Trench-MOSFET-Technologie.
Spezifikation vonBUK4D122-20PX
Artikelnummer: | BUK4D122-20PX | Gate-Source-Spannung (Tj = 25 °C) – Max: | 8V |
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Torwiderstand (Typ): | 18,6 Ω | Eingangskapazität (Typ): | 388pF |
Ausgangskapazität (Typ): | 56pF | Ausschaltverzögerungszeit (Typ): | 36ns |
MerkmaleBUK4D122-20PX
FAQ
F: Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind Originale, der Import neuer Originale ist unser Ziel.
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A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
F: Können Sie Bestellungen oder Muster in kleinen Mengen unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Bestellung oder Projekt.
F: Wie versende ich meine Bestellung?Ist es sicher?
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