Firmenblog über Versorgung von TI-Leistungsstufen: GaN-Leistungsstufen, Si-Leistungsstufen

Versorgung mit TI-Leistungsstufen Produkt:GaN-Leistungsstufen,Si-Leistungsstufen

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.Als führender Anbieter von elektronischen Komponenten in China halten wir uns an die Geschäftsphilosophie "harte Arbeit, Ehrlichkeit und Integrität".Bereitstellung hochwertiger Dienstleistungen für die Lieferung elektronischer Komponenten an Kunden.

Das Angebot hat folgende Hauptvorteile:

Garantie für die direkte Lieferung von Originalchips: Alle Chips sind original und echt, so dass die Kunden Originalprodukte von hoher Qualität erhalten.

Reiches Produktportfolio: Lieferung einer Reihe von Produkten wie IC-IC, 5G-Chip, neue Energie-IC, IoT-Chip, Bluetooth-Chip, Automobilchip, AI-IC, Ethernet-IC, Speicherchip, Sensor, IGBT-Modul usw.die Anforderungen an die unterschiedlichen Anwendungen erfüllen.

Flexible Einkaufslösungen: Angemessene Lagerbestände, Unterstützung für Versuchsproben in kleinen Chargen und große Aufträge sowie ein sehr wettbewerbsfähiges Ladderangebot.

Schnelle Lieferfähigkeit: Durch die Einbindung in inländische Lagerhäuser mit mehreren Standorten und ein effizientes Logistiksystem können wir die Lieferung innerhalb von 48 Stunden von inländischen Lagerhäusern erreichen.die den Projektzyklus der Kunden erheblich verkürzt.

Leistungsstufen

Minimieren Sie die Lösungsgröße, maximieren Sie die Leistungsdichte, optimieren Sie die Effizienz und stärken Sie den Systemschutz, indem Sie unsere fortschrittlichen Leistungsstufen-Geräte nutzen.mit einer hochenhellenden Telemetrie, mit unseren skalierbaren Mehrphasen-Controllern für eine optimierte Mehrphasen-DC/DC-Systemlösung.und erhöht die allgemeine SystemzuverlässigkeitDarüber hinaus bietet unsere Familie von Galliumnitrid (GaN) FETs mit integrierten Gate-Treibern und GaN-Power-Geräten die effizienteste GaN-Lösung mit Lebensdauerverlässlichkeit und Kostenvorteilen.

Kraftstufen für Galliumnitrid (GaN)

Maximieren Sie Leistungsdichte und Effizienz mit unserem Portfolio von GaN-Leistungsgeräten für jede Leistungsstufe

Unsere Familie von Galliumnitrid (GaN) FETs mit integrierten Gate-Treibern und GaN-Power-Geräten bietet die effizienteste GaN-Lösung mit Lebensdauerverlässlichkeit und Kostenvorteilen.GaN-Transistoren wechseln viel schneller als Silizium-MOSFETsDie GaN-Leistungsstufen können in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, von Telekommunikation, Servern,Motorantriebe und Laptop-Adapter für Bordladegeräte für Elektrofahrzeuge.

Si-Kraftstufen

Maximieren Sie die Leistungsdichte, optimieren Sie die Effizienz und rationalisieren Sie die Konstruktion

Minimieren Sie die Lösungsgröße, maximieren Sie die Leistungsdichte, optimieren Sie die Effizienz und stärken Sie den Systemschutz, indem Sie unsere fortschrittlichen Leistungsstufen-Geräte nutzen.mit einer hochenhellenden Telemetrie, mit unseren skalierbaren Mehrphasen-Controllern für eine optimierte Mehrphasen-DC/DC-Systemlösung.und erhöht die allgemeine Systemzuverlässigkeit.