Firmenblog über Versorgung mit STMikroelektronischen Leistungstransistoren STL33N60DM2 MOSFET N-Kanal 600 V, 0,115 Ohm Typ.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. Lieferung von STMikroelektronik STL33N60DM2 N-Kanal FDmesh II PlusTM Power MOSFETs, brandneu und original, Qualitätssicherung!

Modellnummer: STL33N60DM2

Serie: MDmeshTM DM2

Status des Produktes: im Verkauf

FET-Typ: N-Kanal

Technologie: MOSFET (Metalloxid)

Auslaufspannung (Vdss): 600 V

Strom bei 25°C - Dauerdurchfluss (Id): 21A (Tc)

Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 10V

Ansprechwiderstand (max) bei unterschiedlichen Id, Vgs: 140 mOhm @ 10,5A, 10V

Vgs(th) bei unterschiedlichen Id (max): 5V @ 250μA

Schaltvorrichtung (Qg) (maximal) bei Vgs: 43 nC @ 10 V

Vgs (maximal): ±25V

Eintrittskapazität (Ciss) bei unterschiedlichen Vds (max.): 1870 pF @ 100 V

Leistungsausfall (maximal): 150 W (Tc)

Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)

Anbauart: Oberflächenhalter

Einheit des Lieferanten: PowerFlatTM (8x8) HV

Paket/Gehäuse: 8-PowerVDFN

Einleitung

Die MDmesh DM2-Serie von ST ist die neueste Familie von schnellen Wiederherstellungsdioden von ST, 600V Leistungs-MOSFETs, besonders geeignet für ZVS-Phasenschaltbrücken-Topologien.,Eine hohe dV/dt-Stärke (40V/ns) sorgt für eine höhere Systemzuverlässigkeit.

Eigenschaften

• Niedrige Torladung und Eingangskapazität
• Niedrigere RDS (on) x-Fläche im Vergleich zur Vorgängergeneration
• Niedriger Tor-Eingangswiderstand
• mit einer Breite von mehr als 50 mm,
• 100% Lawinentest
• Zener geschützt
• Hohe DVD/dt- und Lawinenfähigkeit

Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte telefonisch an Herrn Chen:

Tel: +86 13410018555

E-Mail: sales@hkmjd.com

Website:Die Kommission hat die Kommission aufgefordert,